Заказать семинар!Фильм о работе в компанииPT Electronics на выставке ЭкспоЭлектроника
  • 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
  • semicond@ptelectronics.ru
  • Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Защитный код *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

  • Подписка на новости
    Укажите интересующие списки новостей:

Назад

Новый мощный GaN транзистор L-диапазона

7 Ноя 2017

новый мощный GaN транзистор L-диапазона Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%.

1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.

Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности.

Основные параметры:

  • Рабочие частоты 1030/1090 МГц
  • Выходная пиковая мощность 1600 Вт
  • Параметры импульса: Т=32 мкс, 2% DC
  • Коэффициент усиления: 18.6 дБ
  • Напряжение питания 50/52 В

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов

Новый мощный GaN транзистор L-диапазона