English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics

Подписка на новости

Назад

ISL73023SEH/ISL73024SEH – новые безлицензионные силовые GaN транзисторы для космического применения

4 Апр 2018

Компания Intersil представила семейство силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов с космической квалификацией. ISL73023SEH (100 В @ 65 А) и ISL73024SEH (200 В @ 7,5 А) разработаны на базе кристаллов компании EPC, которые уже успели зарекомендовать себя на рынке силовых полупроводников. При более компактном корпусе, транзисторы на нитриде-галлия обеспечивают на 10 порядков лучшую производительность, чем стандартные кремниевые МОП-транзисторы, к слову общая площадь SMD корпуса ISL73023SEH и ISL73024SEH всего 42 мм².

Высокая подвижность электронов и низкая теплопроводность нитрида-галлия позволяет достигать предельно низкого значения сопротивления, так сопротивление открытого канала Rds (on) ISL73023SEH составляет всего 5 мΩ при общем заряде затвора в 14 нКл. Как результат разработчики получают устройство, которое может работать с более высокой частотой коммутации и большей эффективностью, при гораздо меньших масса-габаритных показателях.

GaN

Рисунок 1. Компактный SMD корпус ISL73023SEH/ISL73024SEH

Параметр

ISL73023SEH

ISL73024SEH

Напряжение пробоя

100В

200В

Ток коммутации

65А

7.5А

Сопротивление открытого канала Rds(on)

5мΩ

45мΩ

Общий заряд затвора

14нКл

2.5нКл

Компактный SMD корпус общей площадью 42мм²

 

Помимо транзисторов, компания также представила и драйвер для их управления — ISL73040SEH, к ключевым особенностям которого можно отнести:

  • широкий диапазон рабочих напряжений: 4,5 В … 13,2 В;
  • напряжение логических входов до 14,7 В (независимо от уровня Vdd);
  • инвертирующие и не инвертирующие входы;
  • внутренне регулируемое напряжение затвора 4,5 В;
  • независимые выходы для регулирования скорости включения/выключения.

ISL73040SEH

Рисунок 2. Блок-схема драйвера GaN транзисторов ISL73040SEH

 ISL73040SEH

Рисунок 3. Типовая схема включения ISL73040SEH

Новые компоненты обладают превосходными характеристиками радиационной стойкости: общая накопленная доза 75 крад (облучение низкой интенсивности 0,01 рад/с), ТЗЧ 86 МэВ*см2/мг и предлагаются в герметичных металлокерамических SMD корпусах, которые обеспечивают работу при температуре окружающей среды от -55 °C до +125 °C.

 Также стоит отметить, что представленные транзисторы и драйвер попадают под категорию EAR99, такие компоненты свободны для ввоза на территорию РФ и не требуют лицензирования. Доступны инженерные образцы.

С более подробным описанием компонентов можно ознакомиться в прикрепленных даташитах:

ISL70023SEH-3023SEH
ISL70024SEH-3024SEH
ISL70040SEH-3040SEH

 

По всем вопросам обращайтесь в департамент активных компонентов.