Новое семейство силовых 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi

17 Ноя 2017

Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, объявила о начале поставок нового семейства силовых 650-В биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором (NPT IGBT).

Новые модели обеспечивают частоту коммутации до 150 кГц, и этот уровень может быть увеличен при использовании транзисторов совместно с антипараллельными диодами Microsemi, выполненных по карбидокремниевой технологии.

Все представители нового поколения 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi производятся по усовершенствованной технологии Power MOS 8. Технологический процесс позволяет снизить полное значение коммутационных потерь и обеспечивает возможность работы элементов при значительно более высокой частоте коммутации по сравнению с конкурирующими решениями. Так же благодаря меньшему значению потерь (приблизительно на 8%) NPN IGBT транзисторы Microsemi способны повысить КПД конечных решений.

Благодаря положительному температурному коэффициенту Vcesat NPN IGBT можно включить параллельно для повышения надежности силовых устройств.

 

Краткие технические характеристики силовых 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi:

Part Number	Тип корпуса	Ток, A	Напряжение, В
APT45GR65BSCD10	TO-247	45	650
APT45GR65SSCD10	D3PAK	45	650
APT70GR65B2SCD30	T-MAX	70	650

 

Области применения силовых 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi:

• солнечные инверторы;
• сварочные аппараты;
• импульсные источники питания.

 

---

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.