Заказать семинар!Фильм о работе в компанииPT Electronics на выставке ЭкспоЭлектроника
  • 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
  • semicond@ptelectronics.ru
  • Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Защитный код *

  • Подписка на новости
    Укажите интересующие списки новостей:

Назад

SEMIX®5 – новое поколение IGBT модулей с улучшенными динамическими и тепловыми характеристиками

18 Апр 2017

Модули SEMiX®5 дополняют семейство компонентов SEMiX®, рассчитанных на работу в диапазоне мощности 50…350 кВт и имеющих рабочее напряжение 650, 1200 и 1700 В. Модули выпускаются в новом конструктиве с силовыми терминалами высотой 17 мм, сигнальные контакты рассчитаны на подключение платы управления методом прессовой посадки (Press-Fit) без применения пайки. Благодаря существенному снижению паразитной индуктивности ключи SEMiX®5 способны безопасно коммутировать ток при повышенном напряжении DC-шины, они имеют низкий уровень динамических потерь, что позволяет применять данные компоненты в источниках бесперебойного питания, инверторах солнечных батарей, источниках питания и моторных приводах.

Press-Fit технология обеспечивает быстрое и надежное подключение драйвера, такое соединение отличается высокой стабильностью контактных свойств. Прочный корпус с литыми силовыми терминалами обладает улучшенными механическими характеристиками, что делает SEMiX®5 хорошим выбором для создания высоконадежных, компактных и недорогих инверторов. Топология внутренних соединений обеспечивает высокую теплопроводность и равномерное распределение температуры, что исключает риск возникновения зон локального перегрева и снижает взаимное тепловое влияние между соседними кристаллами. Это позволяет снизить рабочую температуру чипов и соответственно увеличить срок службы силовых модулей.

Новейшая концепция трассировки соединений дает возможность разрабатывать модули в в широком диапазоне мощностей и в различных конфигурациях: 3-фазный мост, 3-уровневый инвертор NPC, T-NPC, а также специализированные схемы заказчика. Улучшенные тепловые характеристики и последние поколения кристаллов IGBT позволяют с успехом применять компоненты семейства SEMiX®5 в широком спектре 2-уровневых и 3-уровневых преобразователей.

Основные конфигурации и характеристики SEMiX®5:

  • 3-фазный мост: 300 A/650 В, 200 A/1200 В и 150 A/1700 В
  • 3-уровневый инвертор NPC: 400 A/650 В
  • 3-уровневый инвертор NPC T-типа: 650 В и 1200 В до 400 A, 1200 В до 300 A с общим коллектором для простоты параллельного соединения
  • двойной повышающий конвертор: 400 A/650 В

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Силовая электроника.