IGBT модули STMicroelectronics.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.
IGBT транзисторы STMicroelectronics
1 Окт 2015 IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.IGBT-транзисторы с напряжением пробоя 300 – 400 ВIGBT-транзисторы 600 – 650 ... (читать далее)