GSI Technology

Линейка продукции

• SRAM — выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с максимальной емкостью 288 Мбит.
  Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке;
• Low Latency DRAM — построена по более сложной архитектуре, чем обычная DRAM, с адресацией, как у SRAM. Время доступа tRC=15 нс. Микросхемы выпускаются объемом 288 Мбит и 576 Мбит. LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron;
• Bandwidth Engine 2 — выполнена по технологи 1T-SRAM, состоит из 4 секций по 256 DRAM банков, интерфейс 16 линий SerDes со скоростью до 12,5 Гбит/с, время доступа tRC=3.2 нс.
  В серийном производстве память объемом 576 Мбит. В первой половине 2017 появиться образцы BE-3 объемом 1.1 Гбит.

Преимущества:

• Есть серия Military & Aerospace -55°C…+125°C;
• Ни одна из микросхем не попадает под экспортные ограничения США и Европы;
• Ко всем микросхемам бесплатно предоставляется сконфигурированный под задачу конечного пользователя IP-контроллер инициализации памяти в ПЛИС производства Xilinx или Altera (этого не предлагает ни один другой производитель SRAM), пример электрической схемы и топологии печатной платы, полная техническая документация, программные модели (BSDL, IBIS) и техническая поддержка производителя;
• non Pb-free корпус (с содержанием свинца);
• Бесплатные образцы;
• Гибкость минимального количества для заказа микросхем;
• Заказ микросхем из одной партии;
• Наличие в линейке продукции аналогов микросхем статической памяти других производителей: Cypress, ISSI, Renesas, Micron, IDT, Alliance Memory.
• Ссылка на подбор аналогов на сайте GSI: http://www.gsitechnology.com/cross-reference