Заказать семинар!Фильм о работе в компанииPT Electronics на выставке ЭкспоЭлектроника
  • 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
  • semicond@ptelectronics.ru
  • Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Защитный код *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

  • Подписка на новости
    Укажите интересующие списки новостей:

Microsemi

  • Активные компоненты, Высоконадежные компоненты, Силовая электроника и источники питания,
    • Широкополосные усилители Microsemi

      Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, в конце мая анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта – монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC). Основанный на богатой истории создания СВЧ устройств новый портфель первоначально состоит из 16 продуктов, охватывающих диапазон DC-40 ГГц, […]

    • Управляемые напряжением аттенюаторы Microsemi

      Функциональное назначение Частота, ГГц Вносимые потери, дБ Динамический диапазон, дБ Затухание несогла- сованности (RL), дБ Входная мощность (P1dB), дБм Корпус Номер по каталогу Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-40 <3 17 >8 >8 Бескорпусная ИС MMS005AA Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-50 <5 27 >12 >3 Бескорпусная ИС MMS004AA  

    • Делители частоты Microsemi

      Частота, ГГц Функциональное назначение Выходная мощность (Pout), дБм Эквивалентный коэффициент шума в одной боковой полосе, 10 кГц, дБс/Гц Рассеиваемая мощность, Вт Корпус Номер по каталогу 0-9 От /8 до /511, весь диапазон +4 -150 0,46 6×6 QFN UXN6M9P 0-14 От /8 до /511, весь диапазон +4 -147 1,10 6×6 QFN […]

    • Силовые модули для аэрокосмических приложений Microsemi

      Диапазон мощностей до 50 кВт на модуль   Модуль без схемы драйвера Диапазон температур От -60°C до +100°C (рабочий) От -60°C до +125°C (хранение)   Модуль с встроенной схемой драйвера внутри корпуса Диапазон температур От -55°C до +85°C (рабочий) От -55°C до +100°C (хранение) Субкомпонент системы (Модуль с драйвером + […]

    • Усилители мощности компании Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.     Описание Напряжение питания (Vcc), В Усиление, дБ Выходная линейная мощность (Pout), дБм EVM, дБ Ток при 1,8% EVM, мА Гармоники, дБм/МГц Тип корпуса и габариты, мм Область применения Статус LX5531 5 ГГц усилитель мощности, […]

    • Мощные транзисторы для усилителей мощности и передатчиков Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.

    • Монолитные микроволновые ключи для поверхностного монтажа компании Microsemi

      MPS2R10-606 Последовательно-шунтирующие pin-диоды в конфигурации SP2T Допустимая мощность непрерывного излучения 200 Вт Низкие вносимые потери (ослабление) Высокая степень развязки Монтаж на поверхность Типоразмер 0805 Пассивация обеспечивающая стабильно низкий уровень утечки Прочный стеклянный корпус Соответствие требованиям Директивы RoHS       MPS2R10-606 предельно допустимые режимы Параметр Условнее обозначение Значение Ед. изм. […]

    • 2 – 26 ГГц широкодиапазонные pin-диоды

      Области применения 2 – 26 ГГц переключатели на pin-диодах Широкодиапазонные средства радиоэлектронной борьбы и их субсистемы Радиолокационных системы Ka-диапазона (20-30 ГГц) Испытательное и измерительное оборудование Переключатели «приём-передача», антенные коммутаторы, дуплексеры Системы мобильной и фиксированной связи, переключатели «приём-передача» Программно-определяемая радиосистема (SDR), переключатели «приём-передача» Базовые станции сотовой связи, дуплексеры Семейства продуктов GC42xx […]

    • LX7730 – новый радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии Microsemi

      LX7730 от компании Microsemi Corporation – новый высоконадежный радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии для космических применений, который работает в качестве дополнения к ПЛИС. Микросхема предназначена для работы в жестких условиях эксплуатации и обеспечивает режим нормальной работы в температурном диапазоне от -55 до +125 °С при воздействии ионизирующего излучения. В состав […]

    • Диоды (Шоттки, полевые, SiC, сверхбыстрые) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Радиационно-стойкие DC/DC – преобразователи Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях.

    • Тиристоры и тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В.

    • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях.

    • Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает интеллектуальные силовые IGBT модули (IPM IGBT) в корпусе LP8 на рабочие напряжения 600 В и 1200 В.

    • Радиационно-стойкие DC/DC – преобразователи Microsemi серий SA50 и SB30

      Компания Microsemi предлагает современное решение для систем питания космических аппаратов, и представляет две модельные линейки изолированных DC-DC преобразователей: SB30-100 и SA50-100 для 100 В шины питания, и SB30-28 и SA50-28 для 28 В шины питания.

    • Тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В в конфигурациях схемы удвоения тиристор-тиристор, тиристор-диод.

    • Силовые диоды Microsemi

      Компания Microsemi выпускает дискретные кремниевые диоды с быстрым восстановлением (FRED), а также кремниевые и карбидкремневые диоды Шоттки.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    • Диодные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает диодные модули в различных конфигурациях.

    • MOSFET транзисторы Microsemi

      MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения.   MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями: Power MOS 8 Power MOS V Ultrafast CoolMos Linear   Типы полевых транзисторов : MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода. FREDFET — полевые транзисторы […]

    • Power MOS V® MOSFET

      Семейство Power MOS V® MOSFET c низкоомной алюминиевой структурой затвора.

    • Power MOS 8™ MOSFET

      Семейство Power MOS 8 отличается от предыдущих меньшим уровнем электромагнитных излучений и меньшей стоимостью, оптимизированы для работы в схемах с «жестким» и «мягким» переключением на высоких частотах и напряжениях при мощности более 500 Вт.

    • «Линейные» транзисторы MOSFET

      «Линейные» транзисторы MOSFET компании Microsemi  более устойчивы к длительной работе (более 100 мс) с высокими напряжениями и токами по сравнению со стандартными MOSFET. Транзисторы предназначены для усилительного режима работы, способны рассеивать большую мощность и имеют более широкую область безопасной работы на постоянном токе.

    • CoolMos

      Cерия транзисторов CoolMos Транзисторы данной серии производятся по технологии фирмы Infineon Technologies. Транзисторы обладают небольшими размерами, весом и низкой ценой. Предназначены для работы в импульсных источниках питания.

    • IGBT транзисторы Microsemi

      IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц.

    • Power MOS 8® IGBT

      Семейство Power MOS 8® IGBT делится на две группы: MOS 8 NPT – обозначается литерой GR. Устройства рассчитаны на рабочие напряжения 650, 1200 В; MOS 8 PT – обозначается литерой GA. Устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600, 900 В.

    • Thunderbolt® NPT IGBT

      Семейство Thunderbolt® NPT IGBT обозначается литерами GT в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600 и 1200 В.

    • Power MOS 7® PT IGBT

      Семейство Power MOS 7® PT IGBT обозначается литерой GP в шифре компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочее напряжение 1200 В.

    • Field Stop IGBT

      Семейство Field Stop IGBT обозначается литерой GN в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600 и 1200 В.

    • Fast NPT IGBT

      Семейство Fast NPT IGBT обозначается литерами GF в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочее напряжение 1200 В.

    Линейка продукции

    • IGBT;
    • MOSFETS/FREDFETS;
    • диоды;
    • реле и контакторы;
    • дисплеи и драйверы;
    • высоконадежные компоненты;
    • радиационно стойкие компоненты;
    • СВЧ решения;
    • устрйоства питания по Ethernet (POE)
    • сканеры для систем охраны.
  • Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) предлагает обширный ассортимент полупроводниковых компонентов и системных решений для рынков телекоммуникаций, обороны и безопасности, а также для аэрокосмического и промышленного рынков. Перечень продукции включает в себя высокопроизводительные, радиационно-стойкие и высоконадежные аналого-цифровые интегральные микросхемы, FPGA, SoC и ASICs, высокочастотные pin-диоды, варакторы, диоды Шотки, GaN транзисторы, СВЧ усилители и многое другое.

    Штаб-квартира Microsemi находится в Aliso Viejo, Калифорния, США. На данный момент в компании работает около 3000 сотрудников. Заводы компании работают по всему миру: в Америке, Китае, Канаде, Ирландии.

    Компания PT Electronics является официальным дистрибутором Microsemi с 2013 года.


    Материалы форума Microsemi Space Forum 2013 доступны по этой ссылке: скачать файл (zip, 88 Мб).


     

  • Область применения

    • альтернативная энергетика;
    • коммерческая авиация;
    • оборонная отрасль;
    • встраиваемые системы;
    • промышленность;
    • медицина;
    • управление двигателями;
    • энергетика;
    • охрана;
    • космическая индустрия.
    • Семейство WLAN Front End модулей от Microsemi

      22 Сен 2017   Microsemi Corporation — ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, являющийся одним из лидеров на рынке WLAN RF IC, представляет линейку Front End модулей для IEEE802.11a/b/g/n/ac применений на частоты 2.4 и 5 ГГц. Front End модули WLAN (Wi-Fi) объединяют несколько устройств, необходимых для реализации ВЧ-интерфейса. Как правило, они включают один или несколько ...
    • ограничительный PIN диод GC4701-6LP

      12 Июл 2017 Компания Microsemi выпустила новый широкополосный ограничительный PIN диод GC4701-6LP, реализованный в пластиковом корпусе и предназначенный для стандартных или копланарных микрополосковых схем. Благодаря низким вносимым потерям и высокой развязке этот диод идеально подходит для использования в пассивных или активных ограничителях мощности, работающих в частотном диапазоне от 0,1 ГГц до 18 ГГц. Основные параметры: рабочий диапазон частот ...
    • Новое семейство малошумящих усилителей от Microsemi

      20 Фев 2017 Компания Microsemi анонсировала выпуск новых широкополосных малошумящих усилителей для широкого круга применений. Усилители выполнены по технологии GaAs PHEMT и рассчитаны на работу в частотном диапазоне до 22 ГГц. Устройства обладают минимальным коэффициентом шума <2,5 дБ и широким динамическим диапазоном OIP3 28 дБ. Основные области применения МШУ включают в себя радары и средства РЭБ, измерительное оборудование, генераторы сигналов, ...
    • Новый GaN-транзистор Microsemi для частотного диапазона 50 МГц – 1 ГГц

      27 Янв 2017 Компания Microsemi анонсировала выпуск GaN-транзистора 0510GN-25-CP, предназначенного для работы в частотном диапазоне от 50 МГц до 1 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режиме. Транзистор основан на технологии GaN-on-SiC и выпускается в керамическом SMT корпусе, который обладает высокой теплопроводностью для обеспечения превосходной производительности и надежности.   Ключевые параметры GaN-транзистора 0510GN-25-CP: широкая ...
    • Непревзойденные высокочастотные GaN-транзисторы компании Microsemi Corporation

      14 Июл 2016 Компания Microsemi обновила продуктовую линейку высокочастотных транзисторов, выполненных по нитрид-галлиевой технологии (GaN). Сейчас в портфеле компании можно найти безлицензионные транзисторы, разработанные для L и S диапазонов с импульсной мощностью до 1200Вт, полный список с указанием кратких технических характеристик приведен в таблице 1.Продукция производится серийно и доступна к заказу уже сейчас, кроме того доступны готовые паллеты и ...
    Все новости
    • Индуктивные датчики Microsemi для ответственных применений

      22 Июн 2017 Датчики являются одним из ключевых элементов обеспечения обратной связи в системах управления самого разного назначения. Индуктивные датчики по сравнению с магниторезистивными, резистивными и датчиками на эффекте Холла имеют ряд преимуществ. Благодаря этому, они находят широкое применение в АСУ в таких сферах, как автоматизация производства или автоматические измерительные системы, медицинское или автомобильное оборудование, и многие другие. В ...
    • Реализация коммутаторов цифровых и аналоговых датчиков с помощью ИС контроллера телеметрии LX7730 от компании Microsemi

      13 Окт 2016 В статье рассмотрен классический принцип построения телеметрических систем и предложен новый подход к реализации c помощью ИС LX7730. Приведены основные технические характеристики и особенности контроллера телеметрии компании Microsemi.Развитие мировой электроники в конце прошлого века привело к возможности и необходимости появления отдельной ее отрасли — телеметрии. Она возникла на стыке с такими областями деятельности человека, как военная ...
    • Победа GAN-технологии

      26 Авг 2016 GaN-технология продолжает свое победное шествие. Так, на частотах выше 3 ГГц мощные GaN-транзисторы и усилители мощности, созданные на их основе, уже давно и успешно применяются. На частотах менее 3 ГГц до недавних пор лидировали LDMOS-транзисторы, несомненными преимуществами которых были цена, простота схемы питания, а также хорошие характеристики — мощность, КПД, Ку.При сравнительно малых мощностях (до 500 Вт) эти преимущества ...
    • TVS-диоды, силовые транзисторы и модули Microsemi для авиационных применений

      28 Сен 2015 Компания Microsemi является лидером в области силовых полупроводников для высоконадежных применений.Одно из стратегических направлений компании — изделия для авиационной техники. Линейка авиационных компонентов включает программируемые логические интегральные схемы, силовые модули и дискретные компоненты, источники питания. Краткий обзор силовой продукции представлен ниже. Супрессоры (TVS-диоды) Супрессоры (TVS-диоды) компании Microsemi ...
    • Опыт применения GAN-транзисторов L-диапазона фирмы Microsemi

      29 Июн 2015 В статье описывается работа GaN-транзистора Microsemi 0912GN-650 и приводятся экспериментальные характеристики.На сегодня транзисторы, выполненные на основе нитридгаллиевой технологии, становятся все более и более популярными. Такая тенденция не случайна, ведь, несмотря на сложности, с которыми приходится сталкиваться при работе с такими транзисторами, их преимущества неоспоримы.Высокое пробивное напряжение сток-исток, а также высокая ...
    Все статьи

Написать письмо специалисту

active@ptelectronics.ru

Задать вопрос
Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Почтовый адрес

Изделие

Описание

Время разработки

Количество изделий в год

Наименования и количество образцов *

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных