English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics

Подписка на новости

Microsemi

  • Активные компоненты, Высоконадежные компоненты, Силовая электроника и источники питания,
    • Переключатели Ocelot для промышленного интернета вещей

      Компания Microsemi предлагает широкое портфолио решений в области Ethernet, среди которых можно найти Ethernet коммутаторы, физику (PHY), решения в области синхронизации с поддержкой технологий SyncE и 1588, микросхемы для организации питания с применением технологии PoE, различное прикладное программное обеспечение и т.д. Совсем недавно, Microsemi представила новое семейство Ethernet коммутаторов – […]

    • Широкополосные усилители Microsemi

      Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, в конце мая анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта – монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC). Основанный на богатой истории создания СВЧ устройств новый портфель первоначально состоит из 16 продуктов, охватывающих диапазон DC-40 ГГц, […]

    • Управляемые напряжением аттенюаторы Microsemi

      Функциональное назначение Частота, ГГц Вносимые потери, дБ Динамический диапазон, дБ Затухание несогла- сованности (RL), дБ Входная мощность (P1dB), дБм Корпус Номер по каталогу Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-40 <3 17 >8 >8 Бескорпусная ИС MMS005AA Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-50 <5 27 >12 >3 Бескорпусная ИС MMS004AA  

    • Делители частоты Microsemi

      Частота, ГГц Функциональное назначение Выходная мощность (Pout), дБм Эквивалентный коэффициент шума в одной боковой полосе, 10 кГц, дБс/Гц Рассеиваемая мощность, Вт Корпус Номер по каталогу 0-9 От /8 до /511, весь диапазон +4 -150 0,46 6×6 QFN UXN6M9P 0-14 От /8 до /511, весь диапазон +4 -147 1,10 6×6 QFN […]

    • Силовые модули для аэрокосмических приложений Microsemi

      Диапазон мощностей до 50 кВт на модуль   Модуль без схемы драйвера Диапазон температур От -60°C до +100°C (рабочий) От -60°C до +125°C (хранение)   Модуль с встроенной схемой драйвера внутри корпуса Диапазон температур От -55°C до +85°C (рабочий) От -55°C до +100°C (хранение) Субкомпонент системы (Модуль с драйвером + […]

    • Усилители мощности компании Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.     Описание Напряжение питания (Vcc), В Усиление, дБ Выходная линейная мощность (Pout), дБм EVM, дБ Ток при 1,8% EVM, мА Гармоники, дБм/МГц Тип корпуса и габариты, мм Область применения Статус LX5531 5 ГГц усилитель мощности, […]

    • Мощные транзисторы для усилителей мощности и передатчиков Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.

    • Монолитные микроволновые ключи для поверхностного монтажа компании Microsemi

      MPS2R10-606 Последовательно-шунтирующие pin-диоды в конфигурации SP2T Допустимая мощность непрерывного излучения 200 Вт Низкие вносимые потери (ослабление) Высокая степень развязки Монтаж на поверхность Типоразмер 0805 Пассивация обеспечивающая стабильно низкий уровень утечки Прочный стеклянный корпус Соответствие требованиям Директивы RoHS       MPS2R10-606 предельно допустимые режимы Параметр Условнее обозначение Значение Ед. изм. […]

    • 2 – 26 ГГц широкодиапазонные pin-диоды

      Области применения 2 – 26 ГГц переключатели на pin-диодах Широкодиапазонные средства радиоэлектронной борьбы и их субсистемы Радиолокационных системы Ka-диапазона (20-30 ГГц) Испытательное и измерительное оборудование Переключатели «приём-передача», антенные коммутаторы, дуплексеры Системы мобильной и фиксированной связи, переключатели «приём-передача» Программно-определяемая радиосистема (SDR), переключатели «приём-передача» Базовые станции сотовой связи, дуплексеры Семейства продуктов GC42xx […]

    • LX7730 – новый радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии Microsemi

      LX7730 от компании Microsemi Corporation – новый высоконадежный радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии для космических применений, который работает в качестве дополнения к ПЛИС. Микросхема предназначена для работы в жестких условиях эксплуатации и обеспечивает режим нормальной работы в температурном диапазоне от -55 до +125 °С при воздействии ионизирующего излучения. В состав […]

    • Диоды (Шоттки, полевые, SiC, сверхбыстрые) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Радиационно-стойкие DC/DC – преобразователи Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях.

    • Тиристоры и тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В.

    • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях.

    • Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает интеллектуальные силовые IGBT модули (IPM IGBT) в корпусе LP8 на рабочие напряжения 600 В и 1200 В.

    • Радиационно-стойкие DC/DC – преобразователи Microsemi серий SA50 и SB30

      Компания Microsemi предлагает современное решение для систем питания космических аппаратов, и представляет две модельные линейки изолированных DC-DC преобразователей: SB30-100 и SA50-100 для 100 В шины питания, и SB30-28 и SA50-28 для 28 В шины питания.

    • Тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В в конфигурациях схемы удвоения тиристор-тиристор, тиристор-диод.

    • Силовые диоды Microsemi

      Компания Microsemi выпускает дискретные кремниевые диоды с быстрым восстановлением (FRED), а также кремниевые и карбидкремневые диоды Шоттки.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    • Диодные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает диодные модули в различных конфигурациях.

    • MOSFET транзисторы Microsemi

      MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения.   MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями: Power MOS 8 Power MOS V Ultrafast CoolMos Linear   Типы полевых транзисторов : MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода. FREDFET — полевые транзисторы […]

    • Power MOS V® MOSFET

      Семейство Power MOS V® MOSFET c низкоомной алюминиевой структурой затвора.

    • Power MOS 8™ MOSFET

      Семейство Power MOS 8 отличается от предыдущих меньшим уровнем электромагнитных излучений и меньшей стоимостью, оптимизированы для работы в схемах с «жестким» и «мягким» переключением на высоких частотах и напряжениях при мощности более 500 Вт.

    • «Линейные» транзисторы MOSFET

      «Линейные» транзисторы MOSFET компании Microsemi  более устойчивы к длительной работе (более 100 мс) с высокими напряжениями и токами по сравнению со стандартными MOSFET. Транзисторы предназначены для усилительного режима работы, способны рассеивать большую мощность и имеют более широкую область безопасной работы на постоянном токе.

    • CoolMos

      Cерия транзисторов CoolMos Транзисторы данной серии производятся по технологии фирмы Infineon Technologies. Транзисторы обладают небольшими размерами, весом и низкой ценой. Предназначены для работы в импульсных источниках питания.

    • IGBT транзисторы Microsemi

      IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц.

    • Power MOS 8® IGBT

      Семейство Power MOS 8® IGBT делится на две группы: MOS 8 NPT – обозначается литерой GR. Устройства рассчитаны на рабочие напряжения 650, 1200 В; MOS 8 PT – обозначается литерой GA. Устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600, 900 В.

    • Thunderbolt® NPT IGBT

      Семейство Thunderbolt® NPT IGBT обозначается литерами GT в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600 и 1200 В.

    • Power MOS 7® PT IGBT

      Семейство Power MOS 7® PT IGBT обозначается литерой GP в шифре компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочее напряжение 1200 В.

    • Field Stop IGBT

      Семейство Field Stop IGBT обозначается литерой GN в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600 и 1200 В.

    • Fast NPT IGBT

      Семейство Fast NPT IGBT обозначается литерами GF в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочее напряжение 1200 В.

    Линейка продукции

    • IGBT;
    • MOSFETS/FREDFETS;
    • диоды;
    • реле и контакторы;
    • дисплеи и драйверы;
    • высоконадежные компоненты;
    • радиационно стойкие компоненты;
    • СВЧ решения;
    • устрйоства питания по Ethernet (POE)
    • сканеры для систем охраны.
  • Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) предлагает обширный ассортимент полупроводниковых компонентов и системных решений для рынков телекоммуникаций, обороны и безопасности, а также для аэрокосмического и промышленного рынков. Перечень продукции включает в себя высокопроизводительные, радиационно-стойкие и высоконадежные аналого-цифровые интегральные микросхемы, FPGA, SoC и ASICs, высокочастотные pin-диоды, варакторы, диоды Шотки, GaN транзисторы, СВЧ усилители и многое другое.

    Штаб-квартира Microsemi находится в Aliso Viejo, Калифорния, США. На данный момент в компании работает около 3000 сотрудников. Заводы компании работают по всему миру: в Америке, Китае, Канаде, Ирландии.

    Компания PT Electronics является официальным дистрибутором Microsemi с 2013 года.


     


     

  • Область применения

    • альтернативная энергетика;
    • коммерческая авиация;
    • оборонная отрасль;
    • встраиваемые системы;
    • промышленность;
    • медицина;
    • управление двигателями;
    • энергетика;
    • охрана;
    • космическая индустрия.
    • MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi

      11 Июл 2018 Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247 Параметры MSC040SMA120B Напряжение сток-исток 1200 В Максимальный постоянный ток (25°С) 64 А Максимальный постоянный ток (10°С) 45 А Предельный импульсный ток 105 ...
    • PT Electronics – официальный поставщик продукции Vectron

      5 Мар 2018 PT Electronics расширила дистрибьюторский договор с компанией Microsemi, и теперь является официальным поставщиком линеек продукции Vectron! Vectron является лидером в разработке и производстве частотозадающих систем, датчиков и гибридных решений, используя самые современные технологии как на основе объемной акустической волны (BAW), так и на поверхностных акустических волнах (SAW) от DC до микроволновых частот. Продукты включают различные ...
    • Новый мощный GaN транзистор L-диапазона

      7 Ноя 2017 Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%. 1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц. Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности. ...
    • Новая линейка широкополосных усилителей мощности от Microsemi

      6 Окт 2017 Компания Microsemi анонсировала новую линейку широкополосных усилителей мощности, работающих в частотном диапазоне DC – 26ГГц. Усилители реализованы на технологии GaAs PHEMT и обеспечивают уровень выходной мощности до 31 дБм, обладая при этом высоким динамическим уровнем OIP3 до 41 дБм. Устройства представлены как в бескорпусном виде, так и в миниатюрном QFN-корпусе. Основные параметры усилителей приведены в таблице ниже.   ...
    • Семейство WLAN Front End модулей от Microsemi

      22 Сен 2017   Microsemi Corporation — ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, являющийся одним из лидеров на рынке WLAN RF IC, представляет линейку Front End модулей для IEEE802.11a/b/g/n/ac применений на частоты 2.4 и 5 ГГц. Front End модули WLAN (Wi-Fi) объединяют несколько устройств, необходимых для реализации ВЧ-интерфейса. Как правило, они включают один или несколько ...
    Все новости
    • Новое поколение сетевых коммутаторов Microsemi

      28 мая 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №1 2018 Microsemi представляет новое поколение сетевых коммутаторов для гибких решений промышленной инфраструктуры Ethernet, а также для решений удаленного доступа к файлам по протоколу SMB. Устройство VSC7514 — это управляемый сетевой гигабитный коммутатор (переключатель, свитч) на 10 портов, поддерживающий комбинацию из 1G и 2,5G Ethernet-портов. Основные области, где могут применяться данные ...
    • Новые возможности звукового распознавания с аудиопроцессором Microsemi ZL38052

      4 Янв 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №3-4 2017 Компания Zarlink (Microsemi) выпустила на рынок новый аудиопроцессор ZL38052 семейства Timberwolf, который успешно применяется в составе IP-камер, систем пожарной и газовой безопасности, в управляемых голосом шлюзах. В статье приводится обзор характеристик и преимуществ процессора, а также сопроводительного программного обеспечения, позволяющего значительно расширить функциональные ...
    • Индуктивные датчики Microsemi для ответственных применений

      22 Июн 2017 Датчики являются одним из ключевых элементов обеспечения обратной связи в системах управления самого разного назначения. Индуктивные датчики по сравнению с магниторезистивными, резистивными и датчиками на эффекте Холла имеют ряд преимуществ. Благодаря этому, они находят широкое применение в АСУ в таких сферах, как автоматизация производства или автоматические измерительные системы, медицинское или автомобильное оборудование, и многие другие. В ...
    • Реализация коммутаторов цифровых и аналоговых датчиков с помощью ИС контроллера телеметрии LX7730 от компании Microsemi

      13 Окт 2016 В статье рассмотрен классический принцип построения телеметрических систем и предложен новый подход к реализации c помощью ИС LX7730. Приведены основные технические характеристики и особенности контроллера телеметрии компании Microsemi. Развитие мировой электроники в конце прошлого века привело к возможности и необходимости появления отдельной ее отрасли — телеметрии. Она возникла на стыке с такими областями деятельности человека, как медицина, ...
    • Победа GAN-технологии

      26 Авг 2016 GaN-технология продолжает свое победное шествие. Так, на частотах выше 3 ГГц мощные GaN-транзисторы и усилители мощности, созданные на их основе, уже давно и успешно применяются. На частотах менее 3 ГГц до недавних пор лидировали LDMOS-транзисторы, несомненными преимуществами которых были цена, простота схемы питания, а также хорошие характеристики — мощность, КПД, Ку.При сравнительно малых мощностях (до 500 Вт) эти преимущества ...
    Все статьи

Написать письмо специалисту

active@ptelectronics.ru

Задать вопросЗаказать образцы
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics