English
0 позиций в запросе! Отправить?
Подписка на новости
- 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
- semicond@ptelectronics.ru
- Задать вопрос
- Заказать образцы
отправка...Microsemi
-
Линейка продукции
- IGBT;
- MOSFETS/FREDFETS;
- диоды;
- реле и контакторы;
- дисплеи и драйверы;
- высоконадежные компоненты;
- радиационно стойкие компоненты;
- СВЧ решения;
- устрйоства питания по Ethernet (POE)
- сканеры для систем охраны.
-
Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) предлагает обширный ассортимент полупроводниковых компонентов и системных решений для рынков телекоммуникаций, обороны и безопасности, а также для аэрокосмического и промышленного рынков. Перечень продукции включает в себя высокопроизводительные, радиационно-стойкие и высоконадежные аналого-цифровые интегральные микросхемы, FPGA, SoC и ASICs, высокочастотные pin-диоды, варакторы, диоды Шотки, GaN транзисторы, СВЧ усилители и многое другое.
Штаб-квартира Microsemi находится в Aliso Viejo, Калифорния, США. На данный момент в компании работает около 3000 сотрудников. Заводы компании работают по всему миру: в Америке, Китае, Канаде, Ирландии.
Компания PT Electronics является официальным дистрибутором Microsemi с 2013 года.
Область применения
- альтернативная энергетика;
- коммерческая авиация;
- оборонная отрасль;
- встраиваемые системы;
- промышленность;
- медицина;
- управление двигателями;
- энергетика;
- охрана;
- космическая индустрия.
Быстродействующие диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) с максимальным обратным напряжением 1700 В от Microsemi
26 Сен 2018
Компания Microsemi продолжает пополнять свою номенклатуру компонентов на основе карбида кремния (SiC)
Компоненты на карбиде кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными приборами на основе кремния (Si):
низкий уровень потерь при коммутации;
высокое значение плотности мощности;
высокая теплопроводность;
уменьшенные требования к охлаждению;
повышенный рабочий температурный диапазон.
Ключевые ... MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi
11 Июл 2018 Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247
Параметры
MSC040SMA120B
Напряжение сток-исток
1200 В
Максимальный постоянный ток (25°С)
64 А
Максимальный постоянный ток (10°С)
45 А
Предельный импульсный ток
105 ... PT Electronics – официальный поставщик продукции Vectron
5 Мар 2018 PT Electronics расширила дистрибьюторский договор с компанией Microsemi, и теперь является официальным поставщиком линеек продукции Vectron!
Vectron является лидером в разработке и производстве частотозадающих систем, датчиков и гибридных решений, используя самые современные технологии как на основе объемной акустической волны (BAW), так и на поверхностных акустических волнах (SAW) от DC до микроволновых частот.
Продукты включают различные ... Новый мощный GaN транзистор L-диапазона
7 Ноя 2017 Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%.
1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.
Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности.
... Новая линейка широкополосных усилителей мощности от Microsemi
6 Окт 2017 Компания Microsemi анонсировала новую линейку широкополосных усилителей мощности, работающих в частотном диапазоне DC – 26ГГц.
Усилители реализованы на технологии GaAs PHEMT и обеспечивают уровень выходной мощности до 31 дБм, обладая при этом высоким динамическим уровнем OIP3 до 41 дБм.
Устройства представлены как в бескорпусном виде, так и в миниатюрном QFN-корпусе.
Основные параметры усилителей приведены в таблице ниже.
...
Все новостиMSC040SMA120B — новый высоковольтный SiC MOSFET с сопротивлением канала 40 мОм
26 Сен 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №2 2018
В последнее время высоковольтная силовая электроника проявляет повышенный интерес к карбид-кремниевым МОП-транзисторам (SiC MOSFET). Низкие потери и высокое быстродействие делают их отличной альтернативой IGBT. В частности, новый SiC-транзистор MSC040SMA120B от компании Microsemi имеет рейтинг напряжения 1200 В и чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала — 40 мОм.
Кремний по-прежнему ... Новое поколение сетевых коммутаторов Microsemi
28 мая 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №1 2018
Microsemi представляет новое поколение сетевых коммутаторов для гибких решений промышленной инфраструктуры Ethernet, а также для решений удаленного доступа к файлам по протоколу SMB.
Устройство VSC7514 — это управляемый сетевой гигабитный коммутатор (переключатель, свитч) на 10 портов, поддерживающий комбинацию из 1G и 2,5G Ethernet-портов.
Основные области, где могут применяться данные ... Новые возможности звукового распознавания с аудиопроцессором Microsemi ZL38052
4 Янв 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №3-4 2017
Компания Zarlink (Microsemi) выпустила на рынок новый аудиопроцессор ZL38052 семейства Timberwolf, который успешно применяется в составе IP-камер, систем пожарной и газовой безопасности, в управляемых голосом шлюзах. В статье приводится обзор характеристик и преимуществ процессора, а также сопроводительного программного обеспечения, позволяющего значительно расширить функциональные ... Индуктивные датчики Microsemi для ответственных применений
22 Июн 2017 Датчики являются одним из ключевых элементов обеспечения обратной связи в системах управления самого разного назначения. Индуктивные датчики по сравнению с магниторезистивными, резистивными и датчиками на эффекте Холла имеют ряд преимуществ. Благодаря этому, они находят широкое применение в АСУ в таких сферах, как автоматизация производства или автоматические измерительные системы, медицинское или автомобильное оборудование, и многие другие. В ... Реализация коммутаторов цифровых и аналоговых датчиков с помощью ИС контроллера телеметрии LX7730 от компании Microsemi
13 Окт 2016 В статье рассмотрен классический принцип построения телеметрических систем и предложен новый подход к реализации c помощью ИС LX7730. Приведены основные технические характеристики и особенности контроллера телеметрии компании Microsemi.
Развитие мировой электроники в конце прошлого века привело к возможности и необходимости появления отдельной ее отрасли — телеметрии. Она возникла на стыке с такими областями деятельности человека, как медицина, ...
Все статьи
