Microsemi

• Переключатели Ocelot для промышленного интернета вещей

  28 Ноя 2017 Компания Microsemi предлагает широкое портфолио решений в области Ethernet, среди которых можно найти Ethernet коммутаторы, физику (PHY), решения в области синхронизации с поддержкой технологий SyncE и 1588, микросхемы для организации питания с применением технологии PoE, различное прикладное программное обеспечение и т.д. Совсем недавно, Microsemi представила новое семейство Ethernet коммутаторов – Ocelot. Данное семейство предназначено для ... (читать далее)

• Широкополосные усилители Microsemi

  12 Июл 2016 Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, в конце мая анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта – монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC). Основанный на богатой истории создания СВЧ устройств новый портфель первоначально состоит из 16 продуктов, охватывающих диапазон DC-40 ГГц, и включает ... (читать далее)

• Управляемые напряжением аттенюаторы Microsemi

  18 Мар 2016 Функциональное назначение Частота, ГГц Вносимые потери, дБ Динамический диапазон, дБ Затухание несогла- сованности (RL), дБ Входная мощность (P1dB), дБм Корпус Номер по каталогу Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-40 <3 17 >8 >8 Бескорпусная ИС MMS005AA Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-50 <5 ... (читать далее)

• Делители частоты Microsemi

  18 Мар 2016 Частота, ГГц Функциональное назначение Выходная мощность (Pout), дБм Эквивалентный коэффициент шума в одной боковой полосе, 10 кГц, дБс/Гц Рассеиваемая мощность, Вт Корпус Номер по каталогу 0-9 От /8 до /511, весь диапазон +4 -150 0,46 6x6 QFN UXN6M9P 0-14 От /8 до /511, весь диапазон +4 -147 1,10 6x6 QFN UXN14M9P 0-15 ... (читать далее)

• Силовые модули для аэрокосмических приложений Microsemi

  15 Мар 2016 Диапазон мощностей до 50 кВт на модуль Модуль без схемы драйвераДиапазон температурОт -60°C до +100°C (рабочий)От -60°C до +125°C (хранение) Модуль с встроенной схемой драйвера внутри корпусаДиапазон температурОт -55°C до +85°C (рабочий)От -55°C до +100°C (хранение)Субкомпонент системы(Модуль с драйвером+ внешняя плата ПК) Диапазон температурОт -45°C до +70°C (рабочий)От -55°C до +85°C (хранение) (читать далее)

• Усилители мощности Microsemi

  15 Мар 2016 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.     Описание Напряжение питания (Vcc), В Усиление, дБ Выходная линейная мощность (Pout), дБм EVM, дБ Ток при 1,8% EVM, мА Гармоники, дБм/МГц Тип корпуса и габариты, мм Область применения Статус LX5531 5 ГГц усилитель мощности, полностью ... (читать далее)

• Мощные транзисторы для усилителей мощности и передатчиков Microsemi

  9 Мар 2016 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов. Области рынка Область применения Лучшие продукты Основное преимущество Авионика Передатчики системы идентификации «свой-чужой», дальномеры, Азимутально-дальномерная радиосистема ближней навигации (TACAN), система предупреждения столкновения самолётов в воздухе (TCAS), передача данных, ... (читать далее)

• Монолитные микроволновые ключи для поверхностного монтажа компании Microsemi

  4 Мар 2016 MPS2R10-606 Последовательно-шунтирующие pin-диоды в конфигурации SP2T Допустимая мощность непрерывного излучения 200 Вт Низкие вносимые потери (ослабление) Высокая степень развязки Монтаж на поверхность Типоразмер 0805 Пассивация обеспечивающая стабильно низкий уровень утечки Прочный стеклянный корпус Соответствие требованиям Директивы RoHS       MPS2R10-606 предельно допустимые режимы ... (читать далее)

• 2 – 26 ГГц широкодиапазонные pin-диоды

  4 Мар 2016 Области применения 2 – 26 ГГц переключатели на pin-диодах Широкодиапазонные средства радиоэлектронной борьбы и их субсистемы Радиолокационных системы Ka-диапазона (20-30 ГГц) Испытательное и измерительное оборудование Переключатели "приём-передача", антенные коммутаторы, дуплексеры Системы мобильной и фиксированной связи, переключатели "приём-передача" Программно-определяемая радиосистема (SDR), переключатели "приём-передача" ... (читать далее)

• LX7730 – новый радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии Microsemi

  3 Дек 2015 LX7730 от компании Microsemi Corporation – новый высоконадежный радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии для космических применений, который работает в качестве дополнения к ПЛИС. Микросхема предназначена для работы в жестких условиях эксплуатации и обеспечивает режим нормальной работы в температурном диапазоне от -55 до +125 °С при воздействии ионизирующего излучения.В состав LX7730 входит 64-х канальный мультиплексор, который ... (читать далее)

• Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

  10 Авг 2015 Компания Microsemi выпускает интеллектуальные силовые IGBT модули (IPM IGBT) в корпусе LP8 на рабочие напряжения 600 В и 1200 В. Современный IPM — это гибридный модуль, содержащий транзисторы IGBT или MOSFET, соединенные в определенной конфигурации, схему управления, оптимизированную по характеристикам управления затвора, схему защиты от перегрузок и схему индикации состояния. По вопросам применения, заказов образцов и приобретения ... (читать далее)

• Радиационно-стойкие DC/DC – преобразователи Microsemi серий SA50 и SB30

  7 Авг 2015 Компания Microsemi предлагает современное решение для систем питания космических аппаратов, и представляет две модельные линейки изолированных DC-DC преобразователей: SB30-100 и SA50-100 для 100 В шины питания, и SB30-28 и SA50-28 для 28 В шины питания. (читать далее)

• Тиристорные модули Microsemi

  6 Авг 2015 Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В в конфигурациях схемы удвоения тиристор-тиристор, тиристор-диод. (читать далее)

• Силовые диоды Microsemi

  4 Авг 2015 Компания Microsemi выпускает дискретные кремниевые диоды с быстрым восстановлением (FRED), а также кремниевые и карбидкремневые диоды Шоттки. (читать далее)

• MOSFET модули Microsemi

  3 Авг 2015 Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика. (читать далее)

• IGBT модули Microsemi

  30 Июл 2015 Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика. (читать далее)

• Диодные модули Microsemi

  28 Июл 2015 Компания Microsemi выпускает диодные модули в различных конфигурациях. (читать далее)

• MOSFET транзисторы Microsemi

  13 Фев 2015 MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями:Power MOS 8Power MOS VUltrafastCoolMosLinear Типы полевых транзисторов :MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода.FREDFET - полевые транзисторы для применений с внутренним антипараллельным быстрым диодом. В ... (читать далее)

• Power MOS V® MOSFET

  13 Фев 2015 Семейство Power MOS V® MOSFET c низкоомной алюминиевой структурой затвора. (читать далее)

• Power MOS 8™ MOSFET

  13 Фев 2015 Семейство Power MOS 8 отличается от предыдущих меньшим уровнем электромагнитных излучений и меньшей стоимостью, оптимизированы для работы в схемах с «жестким» и «мягким» переключением на высоких частотах и напряжениях при мощности более 500 Вт. (читать далее)

• «Линейные» транзисторы MOSFET

  13 Фев 2015 «Линейные» транзисторы MOSFET компании Microsemi  более устойчивы к длительной работе (более 100 мс) с высокими напряжениями и токами по сравнению со стандартными MOSFET. Транзисторы предназначены для усилительного режима работы, способны рассеивать большую мощность и имеют более широкую область безопасной работы на постоянном токе.   Применение линейных MOSFET: Для одновременной работы при больших токах, напряжении более 200 В и ... (читать далее)

• CoolMos

  13 Фев 2015 Cерия транзисторов CoolMos Транзисторы данной серии производятся по технологии фирмы Infineon Technologies. Транзисторы обладают небольшими размерами, весом и низкой ценой. Предназначены для работы в импульсных источниках питания.   Наименование VBR(DSS), В ID, А RDS(on), Ом Корпус Cкачать APT11N80BC3 800 11 0,45 TO-247   APT11N80BC3G 800 11 0,45 ... (читать далее)

• IGBT транзисторы Microsemi

  12 Фев 2015 IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц. (читать далее)

• Power MOS 8® IGBT

  12 Фев 2015 Семейство Power MOS 8® IGBT делится на две группы: MOS 8 NPT – обозначается литерой GR. Устройства рассчитаны на рабочие напряжения 650, 1200 В; MOS 8 PT – обозначается литерой GA. Устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600, 900 В. Особенности семейства Power MOS 8®: Технология, обеспечивающая эффективное, “чистое” переключение и общее улучшение параметров работы ключевых схем; Меньшая стоимость продукции, благодаря ... (читать далее)

• Thunderbolt® NPT IGBT

  11 Фев 2015 Семейство Thunderbolt® NPT IGBT обозначается литерами GT в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600 и 1200 В. Особенности семейства Thunderbolt®: Быстродействие от среднего до высокого, с быстрым выключением. Простое осуществление параллельного включения устройств, благодаря положительному температурному коэффициенту. Устойчивы к коротким замыканиям.   Наименование Vces, В ... (читать далее)

• Power MOS 7® PT IGBT

  11 Фев 2015 Семейство Power MOS 7® PT IGBT обозначается литерой GP в шифре компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочее напряжение 1200 В.   Особенности семейства Power MOS 7®: Малый хвостовой ток и как следствие высокие частоты переключения; Малый заряд затвора; Для параллельного включения IGBT устройств семейства Power MOS 7® PT требуется предварительная сортировка по напряжению коллектор – эмиттер в открытом состоянии (VCEON). ... (читать далее)

• Field Stop IGBT

  11 Фев 2015 Семейство Field Stop IGBT обозначается литерой GN в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения 600 и 1200 В.   Особенности семейства Field Stop IGBT: Малое сопротивление открытого канала RDS(ON) минимизирует потери на электропроводность. Свойство полезно для низкочастотных применений, в которых наиболее значимыми являются потери проводимости. Простое осуществление параллельного включения устройств, ... (читать далее)

• Fast NPT IGBT

  10 Фев 2015 Семейство Fast NPT IGBT обозначается литерами GF в наименовании компонента. Эти устройства рассчитаны на рабочее напряжение 1200 В.   Особенности семейства Fast NPT IGBT: Среднее быстродействие. Хороший баланс между динамическими потерями и потерями проводимости. Простое осуществление параллельного включения устройств, благодаря положительному температурному коэффициенту. Устойчивость к коротким замыканиям.   ... (читать далее)