English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      Новый мощный GaN транзистор L-диапазона

      7 Ноя 2017

      новый мощный GaN транзистор L-диапазона Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%.

      1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.

      Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности.

      Основные параметры:

      • Рабочие частоты 1030/1090 МГц
      • Выходная пиковая мощность 1600 Вт
      • Параметры импульса: Т=32 мкс, 2% DC
      • Коэффициент усиления: 18.6 дБ
      • Напряжение питания 50/52 В

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов

      Новый мощный GaN транзистор L-диапазона