Быстродействующие диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) с максимальным обратным напряжением 1700 В от Microsemi

26 Сен 2018

Компания Microsemi продолжает пополнять свою номенклатуру компонентов на основе карбида кремния (SiC)

Компоненты на карбиде кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными приборами на основе кремния (Si):

• низкий уровень потерь при коммутации;
• высокое значение плотности мощности;
• высокая теплопроводность;
• уменьшенные требования к охлаждению;
• повышенный рабочий температурный диапазон.

 

 

Ключевые характеристики быстродействующих диодов Шоттки на основе карбида кремния:

Партномер	Максимальное обратное напряжение, В (VBR)	Среднее значение прямого тока, А (IF(avg))	Прямое напряжение, В (VF)	Корпус
MSC010SDA070K	700	10	1,5	TO-220
MSC030SDA070K		30	1,5	TO-220
MSC050SDA070B		50	1,5	TO-247
MSC010SDA120B	1200	10	1,5	TO-247
MSC010SDA120K				TO-220
MSC015SDA120B		15	1,5	TO-247
MSC020SDA120B		20	1,5	TO-247
MSC030SDA120B		30	1,5	TO-247
MSC030SDA120S				D3PAK
MSC050SDA120B		50	1,5	TO-247
MSC050SDA120S				D3PAK
MSC010SDA170B	1700	10	1,5	TO-247
MSC030SDA170B		30	1,5	TO-247
MSC050SDA170B		50	1,5	TO-247

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов