Назад
Новый мощный GaN транзистор L-диапазона
7 Ноя 2017
Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%.
1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.
Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности.
Основные параметры:
- Рабочие частоты 1030/1090 МГц
- Выходная пиковая мощность 1600 Вт
- Параметры импульса: Т=32 мкс, 2% DC
- Коэффициент усиления: 18.6 дБ
- Напряжение питания 50/52 В
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов