0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      500/650 В MDmesh™ M2: Новая серия высоковольтных Super-junction MOSFET от STMicroelectronics

      8 Ноя 2017

      MDmesh™ M2 является передовой технологией Super-junction MOSFET STMicroelectronics, призванной увеличить эффективность источников питания резонансного типа, LED-драйверов и адаптеров питания.

      На текущий момент источники питания развиваются таким образом, что для их разработчиков становятся необходимыми увеличение удельной мощности и эффективное терморегулирование. Это достигается применением резонансных топологий и LLC резонансных преобразователей. Но при этих топологиях паразитные емкости MOSFET могут повлиять на общее поведение, увеличивая коммутационные потери и снижая эффективность, а выходная емкость влияет на работу ключа и определяет общую производительность системы. Серия MDmesh™ M2 показывает лучшую эффективность, особенно при работе системы с пониженной нагрузкой.

      Ключевые характеристики:

      — экстремально низкий заряд Qg

      — оптимизация для условий пониженной нагрузки

      — значения BVDSS от 500 до 650 В

      — доступность в корпусе TO-220FP wide creepage

       

      Ключевые преимущества:

      — малые динамические и статические потери

      — легкость в управлении

      — целевое предназначение для резонансной топологии (LLC)

      — повышенная изоляция благодаря новому корпусу

       

      Перечень силовых транзисторов серии MDmesh™ M2:

      BVDSS (В)

      Max RDS(on) (Ом)

      Max ID (A)

      Qg (nC)

      Тип

      Корпус

       

       

       

       

       

       

       

      600 В

      0.95

      5

      8.8

      STx7N60M2

      DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP

      0.780/0.860*

      5.5

      8

      STx9N60M2

      IPAK/DPAK/TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.600/0.66*

      8

      10

      STx10N60M2

      IPAK/DPAK/D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-220FP wide creepage/I2PAKFP/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.380/0.420*

      11

      16

      STx13N60M2

      IPAK/DPAK/D2PAK/TO-247/TO-220/TO-220FP/TO-220FP wide creepage/

      I2PAKFP/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.280/0.308*

      13

      21

      STx18N60M2

      TO-220/TO-220FP/TO-220FP wide creepage/TO-247/D2PAK/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.190/ 0.210*

      18

      29

      STx24N60M2

      TO-220/TO-220 FP/TO-220FP wide creepage/D2PAK/I2PAKFP/I2PAK/TO-247/

      PowerFLATTM 8×8 HV

      0.150

      24

      39

      STx28N60M2

      TO-220/TO-220FP/TO-220FPNL/I2PAKFP/D2PAK/TO-247

      0.125/0.135*

      26

      45

      STx33N60M2

      TO-220/ TO-220 FP/TO-247/D2PAK/PowerFLATTM 8×8 HV

      0.088

      34

      75

      STx40N60M2

      TO-220/ TO-220 FP/ TO-220FP wide creepage/D2PAK/I2PAKFP/TO-247/TO-3PF

      0.040

      68

      130

      STW70N60M2

      TO-247

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

      650 В

      1.8

      2.3

      5

      STL3N65M2

      PowerFLATTM 3.3 x 3.3 HV

      1.35

      4

      9.8

      STx6N65M2

      DPAK/D2PAK/IPAK/TO-220/TO-220FP

      1.25

      4

      6.5

      STL8N65M2

      PowerFLATTM 5×6 HV

      1.15

      5

      9

      STx7N65M2

      DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP

      1

      4.5

      8

      STL10N65M2

      PowerFLATTM 5×6 HV

      0.9

      4.7

      8.5

      STL10HN65M2

      PowerFLATTM 5×6 HV

      0.9

      5

      10

      STx9N65M2

      DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP

      0.82

      5.5

      11.5

      STx9HN65M2

      DPAK/IPAK/TO-220FP

      0.68

      7

      12.5

      STx11N65M2

      DPAK/IPAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP

      0.5/0.75*

      8/5*

      16.5

      STx12N65M2

      DPAK/TO-220FP/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.43/0.475*

      10/6.5*

      17

      STx13N65M2

      DPAK/IPAK/I2PAKFP/TO-220/TO-220FP/TO-220FP ULTRA NARROW LEADS/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.36/0.395*

      11/7.5*

      19.5

      STx16N65M2

      DPAK/IPAK/TO-220/TO-220FP/PowerFLATTM 5×6 HV

      0.33/0.365*

      12/8*

      20

      STx18N65M2

      I2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-220FP ULTRA NARROW LEADS/

      PowerFLATTM 5×6 HV

      0.23

      16

      29

      STx24N65M2

      D2PAK/TO-220/TO-220FP

      0.18

      20

      35

      STx28N65M2

      D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-220FP ULTRA NARROW LEADS/TO-247

      0.14

      24

      41.5

      STx33N65M2

      D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP

      0.099

      32

      56

      STx40N65M2

      I2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247

      0.062

      49

      93

      STx56N65M2

      TO-247/TO247-4

      0.046

      65

      135

      STW70N65M2

      TO-247

      Примечание: * Величина для корпуса PowerFLATTM

      MDmesh™ M2 является передовой технологией Super-junction MOSFET STMicroelectronics