Назад
IGBT транзистор серии HB 650 В, Trench field stop
19 Ноя 2018
STGW40H65DFB-4 представляет собой IGBT транзистор, разработанный с использованием передовой структуры Trench gate field-stop
Устройство является частью новой серии HB IGBT, которая предлагает оптимальный компромисс между потерями на выключение и напряжением, что позволяет максимизировать эффективность любого частотного преобразователя. Более быстрое переключение может быть достигнуто элементом цепи Кельвина, который отделяет силовой поток от управляющего сигнала.
Основные характеристики:
- максимальная рабочая температура: с TJ = 175 °С;
- вывод цепи Кельвина;
- уменьшенный следовой ток;
- низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.6 В @ ІС = 40 А;
- безопасное параллельное соединение;
- низкое термическое сопротивление;
- диод с плавным восстановлением обратного сопротивления.
Более подробно с устройством можно ознакомиться на сайте компании STMicroelectronics
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам в отдел активных компонентов