0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      IGBT транзистор серии HB 650 В, Trench field stop

      19 Ноя 2018

      STGW40H65DFB-4 представляет собой IGBT транзистор, разработанный с использованием передовой структуры Trench gate field-stop

      IGBTУстройство является частью новой серии HB IGBT, которая предлагает оптимальный компромисс между потерями на выключение и напряжением, что позволяет максимизировать эффективность любого частотного преобразователя.  Более быстрое переключение может быть достигнуто элементом цепи Кельвина, который отделяет силовой поток от управляющего сигнала.

      Основные характеристики:

      • максимальная рабочая температура: с TJ = 175 °С;
      • вывод цепи Кельвина;
      • уменьшенный следовой ток;
      • низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.6 В @ ІС = 40 А;
      • безопасное параллельное соединение;
      • низкое термическое сопротивление;
      • диод с плавным восстановлением обратного сопротивления.

      Более подробно с устройством можно ознакомиться на сайте компании STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам в отдел активных компонентов