English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi

      11 Июл 2018

      Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247SiC MOSFET

      Параметры MSC040SMA120B
      Напряжение сток-исток 1200 В
      Максимальный постоянный ток (25°С) 64 А
      Максимальный постоянный ток (10°С) 45 А
      Предельный импульсный ток 105 А
      Диапазон напряжений затвор-исток -10…25 В
      Диапазон рабочих температур кристалла -55…+175 °С
      Сопротивление открытого канала (типовое) 40 мОм
      Пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 2,6 В
      Температурный коэффициент напряжения затвор-исток

      -4,5 мВ/°С

      Заряд затвора 137 нКл
      Энергия включения (25°С) 930 мкДж
      Энергия выключения (25°С) 585 мкДж
      Прямое падение встроенного диода 3,9 В
      Время восстановления обратного диода 100 нс

      Особенности:

      • малая емкость Coss(156 пФ) и низкий заряд затвора (137 нКл);
      • высокая скорость переключений за счет малого сопротивления затвора ESR (1,2 Ом);
      • надежная работа в широком диапазоне температур -55…+175 °С;
      • быстрый и надежный встроенный диод;
      • высокая стойкость к пробою.

      Преимущества:

      • низкое сопротивление MSC040SMA120B обеспечивает минимальный уровень потерь проводимости и гарантирует высокую эффективность. С одной стороны, это позволяет повышать мощность конечных устройств, а с другой уменьшать их габариты;
      • высокая рабочая температура и малые потери на переключениях обеспечивает надежную работу транзистора;
      • благодаря наличию встроенного диода, во многих применениях удается отказаться от дополнительного внешнего диода, что позволяет снизить себестоимость конечного изделия.

      Применение:

      • приводы электродвигателей;
      • источники питания,
      • инверторы и силовые преобразователи;
      • системы индукционного нагрева и сварочные аппараты;
      • системы бесперебойного питания;
      • электрические и гибридные силовые установки в автотранспорте;
      • преобразователи для альтернативной энергетики (инверторы солнечной энергии преобразователи ветрогенераторов).

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов

      Datasheet