Назад
Netsol – новый игрок на рынке SLC NAND флеш-памяти
Южнокорейская компания Netsol, объявила о начале массового производства собственной SLC NAND флеш-памяти, ёмкостью до 4 Гбит. Весь производственный цикл компании локализован на территории Южной Кореи, что позволяет сократить сроки производства в среднем до 4-х недель, что особенно актуально, когда многие именитые бренды находятся в стадии аллокации. Кроме того, локализация производства, позволяет минимизировать транспортные расходы, что крайне благоприятно влияет на итоговую стоимость изделия для конечного заказчика.
SLC NAND Flash
Density | Org. | Part Number | VDD(V) | Page Size | Speed(ns) | ECC | Package | Availability |
1G bit | 128Mx8 | S8F1G08U0A-YIB0 | 2.7~3.6 | 2K+128 | 25 | 1 | 48TSOP-I | Now |
S8F1G08S0B-XIB0 | 1.7~1.95 | 2K+128 | 45 | 4 | 48FBGA | Now | ||
S8F1G08S0B-BIB0 | 63FBGA | Now | ||||||
2G bit | 256Mx8 | S8F2G08U0A-YIB0 | 2.7~3.6 | 2K+128 | 25 | 4 | 48TSOP-I | Now |
S8F2G08U0A-XIB0 | 48FBGA | Now | ||||||
S8F2G08U0A-BIB0 | 63FBGA | Now | ||||||
S8F2G08S0A-YIB0 | 1.7~1.95 | 2K+128 | 45 | 4 | 48TSOP-I | Now | ||
S8F2G08S0A-XIB0 | 48FBGA | Now | ||||||
S8F2G08S0A-BIB0 | 63FBGA | Now | ||||||
4G bit | 512Mx8 | S8F4G08U0M-YIB0 | 2.7~3.6 | 2K+128 | 20 | 4 | 48TSOP-I | Now |
S8F4G08U0M-XIB0 | 48FBGA | Now | ||||||
S8F4G08U0M-BIB0 | 63FBGA | Now | ||||||
S8F4G08UAM-YIB0 | 2.7~3.6 | 4K+256 | 20 | 4 | 48TSOP-I | Now | ||
S8F4G08UAM-XIB0 | 48FBGA | Now | ||||||
S8F4G08UAM-BIB0 | 63FBGA | Now | ||||||
8G Bit | 1Gx8 | S8F8G08UAM-YIB0 | 2.7~3.6 | 4K+256 | 25 | 4 | 48TSOP-I | TBD |
* Part Number : S8FXXXXXXX-ptB0
1. p : Package type
Y=48TSOP-I, X= 48FBGA , B= 63FBGA
2. t : Temperature
C=Commercial Temperature (0~70C), I = Industrial Temperature (-40~85C)
Портфолио компании так же включает широкую линейку синхронной и асинхронной SRAM памяти, DDR SRAM и QDR SRAM. С полной номенклатурной картой можно ознакомиться в прикрепленном каталоге. Доступны бесплатные образцы.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам в отдел активных компонентов