0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      Новое семейство транзисторов 1200В SiC MOSFET Microsemi

      20 Ноя 2017

      Написать письмо специалисту

      microsemi@ptelectronics.ru

      Задать вопрос
      Заказать образцы

        Имя *

        E-Mail *

        Компания *

        Телефон *

        Вопрос *

        Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

          Имя *

          E-Mail *

          Телефон *

          Сайт

          Компания *

          Почтовый адрес

          Изделие

          Описание

          Время разработки

          Количество изделий в год

          Наименования и количество образцов *

          Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

          Компания Microsemi Corporation представила новое семейство карбидкремниевых полевых транзисторов с изолированным затвором (SiC MOSFET). Новые SiC MOSFET созданы по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.

          Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:

          • Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;
          • Ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения;
          • Повышенная максимальная частота переключения;
          • Высочайшая надежность и превосходная устойчивость к коротким замыканиям;

          Новые SiC MOSFET компании рассчитаны на рабочее напряжение 1200В, имеют номинальные сопротивления открытого канала 80 и 50 миллиом.

          sic_mosfet_microsemi

           

          Краткие характеристики семейства:

          Part Number

          Тип корпуса

          Напряжение (Vdss), В

          Сопротивление Rds(on), мОм

          Ток (Id), А

          APT40SM120B

          TO-247

          1200

          80

          40

          APT40SM120J

          SOT-227

          1200

          80

          40

          APT50SM120B

          TO-247

          1200

          50

          50

          APT50SM120J

          SOT-227

          1200

          50

          50

          Область применениня:

          Новое поколение SiC MOSFET идеально подойдет для применения в силовых промышленных устройствах, требовательных к высокому уровню КПД:

          • Инверторы солнечных батарей
          • Авиационное оборудование
          • Сварочные инверторы
          • Медицинское оборудование
          • Электромобили

           


          По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.