Новые IGBT от STMicroelectronics снижают энергопотребление устройств

14 Окт 2017

Сегодня компания STMicroelectronics, ведущий европейский производитель полупроводников, объявила о выпуске новых 1200-вольтовых IGBT-транзисторов STGW30N120KD и STGW40N120KD — на 30 A и 40А соответственно. Изделия предназначены для использования в устройствах и системах ежедневного применения, в промышленности и в быту, мотор-драйверах, а также в устройствах с повышенными экологическими требованиями.
Данные транзисторы сочетают в себе большие токи и напряжения, высокую прочность и низкие потери благодаря технологии PowerMESH™ от STMicroelectronics, позволяющей создавать электронные компоненты с высочайшей энергоэффективностью.

Малые коммутационные и прямые потери транзисторов позволяют существенно улучшить эффективность устройств, за счёт увеличения диапазона рабочих температур, уменьшения размеров и стоимости.

Кроме того, в STGW30N120KD и STGW40N120KD выполненных в корпусах ТО-247, встроен ультрабыстрый встречный диод, значительно улучшающий характеристики надёжности, устойчивости и безотказной работы компонентов в критичных режимах работы, таких как токи короткого замыкания, аварийный реверс токов и напряжений (например в драйверах электродвигателей).

Особенности:
— малые потери;
— большие токи;
-малый заряд затвора;
-устойчивость к току короткого замыкания до 10 мкс;
-ультрабыстрый встроенный встречный диод.

Технические описания устройств:
STGW30N120KD
STGW40N120KD

Подробную информацию ищите на официальном сайте STMicroelectronics

По вопросам приобретения и заказа образцов продукции ST обращайтесь к руководителю направления активных компонентов Юрию Емельянову.