- 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
- semicond@ptelectronics.ru
- Задать вопрос
- Заказать образцы
отправка...Назад
Новые мощные MOSFET-транзисторы серии DK5
Новые MDMesh™ MOSFET с быстровосстанавливающимся диодом повысят плотность мощности высокоэффективных преобразователей
Новые мощные MOSFET-транзисторы серии DK5 от компании STMicroelectronics выполненные на основе MDMesh™ технологии представляют собой высоковольтные транзисторы категории Super-Junction. С дополнительным преимуществом в виде диода быстрого восстановления. Эти компоненты дают возможность разработчикам максимально увеличить эффективность различных топологий мощных преобразователей включая LLC резонансные преобразователи с нулевым напряжением переключения.
Новые компоненты — MOSFET категории Super-Junction рассчитанные на номинальные напряжения от 950 В до 1850 В — обеспечивают превосходную производительность коммутации с пониженным сопротивлением открытого канала RDS(ON) и увеличенным током на единицу площади кристалла по сравнению с обычными планарными MOSFET-транзисторами. Они позволяют разработчикам повысить как эффективность, так и плотность мощности, используя меньшее количество дополнительных компонентов, в преобразователях для питания оборудования в таких областях, как сервера для дата-центров и телекоммуникации, которые питаются от шины высокого напряжения, промышленные сварочные аппараты, генераторы плазмы, высокочастотные индукционные нагреватели и рентгеновские аппараты.
Новые транзисторы с диодом быстрого восстановления обеспечивают большую эффективность в LLC резонансных преобразователях, которые пригодны для приложений, в которых требуется высокая эффективность в широком диапазоне напряжений. Другие типы мостовых преобразователей, ровно как и повышающие DC/DC-преобразователи для зарядки аккумуляторов, также получат выгоду от использования этих MOSFET в уменьшении потерь и повышении своих динамических характеристик. По сравнению с существующими высоковольтными MOSFET-транзисторами с быстрыми диодами компоненты серии DK5 от STMicroelectronics сочетают в себе лучшее время восстановления (trr), низкие заряд затвора транзистора (Qg) и сопротивление открытого канала (RDS(ON)) с приемлемыми выходными и входными емкостями (Coss, Ciss).
Семейство DK5 расширяет портфолио высоковольтных MOSFET-транзисторов, выпускаемых STMicroelectronics, в которое уже входят устройства на напряжения от 800 В до 1500В, добавлением шести новых компонентов в корпусах TO-247, TO-247 Long-Lead, Max247 и ISOTOP. Уже производятся STWA40N95DK5, STY50N105DK5 и STW40N95DK5.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.
