0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      Новый GaN-транзистор Microsemi для частотного диапазона 50 МГц – 1 ГГц

      27 Янв 2017

      Компания Microsemi анонсировала выпуск GaN-транзистора 0510GN-25-CP, предназначенного для работы в частотном диапазоне от 50 МГц до 1 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режиме.

      Транзистор основан на технологии GaN-on-SiC и выпускается в керамическом SMT корпусе, который обладает высокой теплопроводностью для обеспечения превосходной производительности и надежности.

       

      GaN-транзистор microsemi 0510GN-25-CPКлючевые параметры GaN-транзистора 0510GN-25-CP:

      • широкая полоса рабочих частот от 50 МГц до 1 ГГц,
      • пиковая выходная мощность 25 Вт,
      • коэффициент усиления 16 дБ,
      • КПД 50%,
      • напряжение питания 50 В,
      • керамический SMT корпус 4 мм х 5 мм.

      Основными областями применения для этого устройства являются импульсные радары, авиационное оборудование, передатчики ISM диапазона и профессиональная радиосвязь.


      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам в Отдел активных компонентов