Обновленная линейка карбидокремниевых транзисторов от компании Microsemi

13 Окт 2017

Компания Microsemi Corporation представляет новую линейку силовых модулей и дискретных транзисторов типа MOSFET на основе карбида кремния.

Новые SiC MOSFET созданы по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.

Особенности SiC MOSFET Microsemi:

• широкая номенклатура на напряжения от 600 В до 1700 В,
• рабочая температура до 175 °С,
• снижение потерь до 70%,
• повышенная максимальная частота переключения до 800 кГц,
• компактные и низкопрофильные корпуса.

 

Подробнее о MOSFET модулях Microsemi

---

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.