English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      • IGBT-транзисторы серии M1200 В, 8 А с малыми потерями

        18 Мар 2019 STGWA8M120DF3 – IGBT-транзисторы, выполненные по технологии trench gate field-stop. Данные устройства являются частью M-серии транзисторов, которые представляют собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторной системы, где важны функциональные возможности с малыми потерями и короткими замыканиями. Кроме того, положительный коэффициент температуры напряжения насыщения и узкое распределение параметров обеспечивают ... (читать далее)
      • Новый iNEMOОТ STMicroelectronics

        11 Мар 2019 LSM6DSOX – система с цифровыми 3D-акселерометром и 3D-гироскопом, имеющая высокую производительность при 0,55 мА в высокопроизводительном режиме и поддерживающая постоянно включенные функции низкого энергопотребления. Новый iNEMOОТ от STMicroelectronics поддерживает основные требования к ОС, предлагая реальные, виртуальные и пакетные датчики с 9 КБ динамического пакетирования данных. Чувствительные элементы изготавливаются с использованием ... (читать далее)
      • STPSC8H065DLF – диод Шоттки 8 А 650 В от STMicroelectronics

        4 Мар 2019 STPSC8H065DLF – 8 А, 650 В диод Шоттки от компании STMicroelectronics, разработанный с использованием структуры карбида кремния (SiC) Широкая запрещенная зона материала позволяет разработать структуру диода с номинальным напряжением в 650 В. Благодаря конструкции Шоттки, восстановление при выключении отсутствует, либо незначительно. Минимальная емкость при выключении независима от температуры. Ключевые особенности: высота корпуса менее 1 ... (читать далее)
      • Серия микропроцессоров STM32MP1 с двумя ядрами Arm® Cortex®-A7 и Cortex®-M4

        25 Фев 2019 Семейство микропроцессоров общего назначения от STMicroelectronics позволяет с легкостью разработать множество устройств, серия STM32MP1 построена по гетерогенной архитектуре с одним, либо двумя ядрами Arm® Cortex®-A7 и ядром Cortex®-M4, тем самым увеличивая применяемость и гибкость устройств, достигая лучших показателей производительности и мощности в любое время Ядро Cortex-A7 предоставляет доступ к открытым программным обеспечениям ... (читать далее)
      • IGBT транзистор по технологии trench gate field-stop, 1200 В, 15 А

        18 Фев 2019 STGWA15M120DF3 – устройство от компании STMicroelectronics представляет собой IGBT, разработанный с использованием структуры trench gate field-stop Устройство является частью IGBT транзисторов М-серии, представляющие оптимальный компромисс в производительности для максимизации эффективности инверторных систем, где важны низкие потери и возможность короткого замыкания.  Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE(SAT) и плотное ... (читать далее)
      • N-канальный полевой транзистор 60 В по технологии STripFET

        11 Фев 2019 STL7N6F7 – N-канальный силовой полевой транзистор от компании STMicroelectronics Использует технологию STripFET™ F7 со структурой затвора с V-образной канавкой, что приводит к очень низкому динамическому сопротивлению в открытом состоянии, а также снижает внутреннюю емкость и заряд затвора для более быстрого и эффективного переключения. Ключевые особенности: низкое сопротивление сток-исток открытого канала; отличная ... (читать далее)
      • Балун BALF-NRG-02J5 со встроенным фильтром гармоник

        4 Фев 2019 BALF-NRG-02J5 представляет собой миниатюрный балун, в который встроены сетевой фильтр и фильтр гармоник. Согласующее сопротивление настроено под BLUENRG-134 и BlueNRG-234 WLCSP от STMicroelectronics Основанный на технологии IPD с кремнием с высоким удельным сопротивлением, BALF-NRG-02J5 оптимизирует радиочастотные характеристики. BALF-NRG-02J5 предназначен для использования в закорпусированном модуле.   Ключевые особенности: 50 Ом ... (читать далее)
      • Миниатюрный KNX трансивер с регулятором напряжения

        29 Янв 2019 STKNX - это приемопередающее устройство от STMicroelectronics для коммуникации с шиной KNX TP.  Небольшой корпус и несколько внешних компонентов обеспечивают очень компактную конструкцию узлов KNX STKNX оснащено двумя встроенными регуляторами напряжения для внешнего использования в устройстве: выбираемый линейный регулятор 3,3 В/5 В – 20 мА и регулируемый понижающий DC/DC преобразователь 1/12 В - 150 мА. Встроенное устройство выделения ... (читать далее)
      • NFC метка для простой настройки устройства и управления

        22 Янв 2019 Серия динамических NFC/RFID меток ST25DV-PWM от STMicroelectronics, работающих в интерфейсе 13,56 МГц, совместимы с мобильными телефонами и считывателями Устройства ST25DV02K-W1/W2 представляют собой ИС NFC/RFIDс ШИМ-выводами. Выход ШИМ может быть запрограммирован независимо и безопасно, что позволяет расширить область применения. ИС обеспечивает оперативное обновление параметров ШИМ с помощью бесконтактного интерфейса, расширяя возможности ... (читать далее)
      • STMicroelectronics представляет новый IPM семейства SLLIMM, трехфазный мостовой инвертор на базе MOSFET

        15 Янв 2019 STIB1560DM2T-L – новый интеллектуальный силовой модуль (IPM) от STMicroelectronics, принадлежащий второй серии семейства SLLIMM, представляет собой компактный, высокопроизводительный электродвигательный привод переменного тока в простой и прочной конструкции Устройство объединяет новые ИС управления с высоковольтным N-канальным Super-Junction MDMesh™ DM2, обеспечивая серию диодов с резким восстановлением для повышения эффективности и ... (читать далее)