IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц. Диапазон для каждого типа продукта показан на графике ниже.
Каждый выпускаемый IGBT транзистор выполнен с учетом всех новейших технологий, обеспечивая оптимальное сочетание цена/качество.
Дискретные IGBT представлены следующими сериями:
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
90 |
100 |
110 |
120 |
|
600 V |
||||||||||||
650 V |
||||||||||||
900 V |
||||||||||||
1200 V |
||||||||||||
Применение:
- Дуговая сварка
- Плазменная резка
- Зарядные устройства
- Индукционный нагрев