0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает интеллектуальные силовые IGBT модули (IPM IGBT) в корпусе LP8 на рабочие напряжения 600 В и 1200 В.

      Современный IPM — это гибридный модуль, содержащий транзисторы IGBT или MOSFET, соединенные в определенной конфигурации, схему управления, оптимизированную по характеристикам управления затвора, схему защиты от перегрузок и схему индикации состояния.


      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.


      Интеллектуальные силовые IGBT intellektual'nye_silovye_IGBT2

      Наименование

      Vces, В

      Ic, А

      Vce(on), В

      NTC

      Корпус

      Cкачать PDF

      APTLGF350A608G

      600

      350

      2.1

      LP8

      APTLGF350A608G

      APTLGT400A608G

      600

      400

      1.5

      LP8

      APTLGT400A608G

      APTLGF300A1208G

      1200

      300

      3.2

      LP8

      APTLGF300A1208G

      APTLGT300A1208G

      1200

      300

      1.7

      LP8

      APTLGT300A1208G

      APTLGL325A1208G

      1200

      325

      1.8

      LP8

      APTLGL325A1208G