отправка...По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.
|
Области рынка |
Область применения |
Лучшие продукты |
Основное преимущество |
|
Авионика
|
Передатчики системы идентификации «свой-чужой», дальномеры, Азимутально-дальномерная радиосистема ближней навигации (TACAN), система предупреждения столкновения самолётов в воздухе (TCAS), передача данных, транспондеры, системы навигации |
Биполярные: 1030-1090 МГц 1400 Вт GaN: 1030-1090 МГц 750 Вт GaN: 915-1260 МГц 600 Вт |
Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, может изготовляться под заказ потребителя |
|
РЛС
|
РЛС управления воздушным движением, первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, метеорологические РЛС, РЛС для получения изображений, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), радиолокационные станции сопровождения |
Биполярные: 1,2-1,4ГГц 370Вт GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт GaN: 2,7-3,1 ГГц 400 Вт GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт |
Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, большие объемы производства, выпуск по спецификации заказчика. Приборы для мощных импульсных систем во всей линейки продуктов (драйверы) |
|
Индустриальное, научное и медицинское оборудование
|
Полупроводниковое капитальное оборудование, линейные ускорители, оборудование для сварки, сушки и нагрева, медицинское оборудование |
Биполярные: VHF/UHF/L и S-диапазон GaN: UHF/L, S и C-диапазон |
Длительная доступность биполярных транзисторов, поддержка узкоспециализированных применений, высокая мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд. |
|
Связь
|
Системы спутниковой связи, оборудование каналов передачи данных, сухопутные подвижные радиосистемы, вещание |
Биполярные: VHF/UHF/ L и S диапазон GaN: UHF/L, S и C-диапазон |
Длительная доступность биполярных транзисторов. Для GaN — размеры, вес, мощность и кпд. Выпуск под требования заказчика и поддержка узкоспециализированных применений. |
|
Оборона/космос
|
Первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), передача телеметрии от ракет, станции РЭБ, РЛС для получения изображений, оборудование для защищенных каналов передачи данных, навигация и сопровождение |
Биполярный: 1030/1090 МГц 1200 Вт GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт GaN: 2,7-2,9 ГГц 500 Вт GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт |
Высокая надежность и отбор для специальных применений (оборона, космос, флот), размеры, вес, мощность и кпд. Длительная доступность, выпуск под требования заказчика |
Кремниевые биполярные транзисторы (Si BJT) — диапазоны рабочих частот
Семейство кремниевых биполярных транзисторов (Si BJT)
|
Область применения |
Авионика и передача данных |
Первичный радар UHF диапазона |
Первичный радар L-диапазона |
Первичный радар S-диапазона 2,7-2,9 ГГц |
Первичный радар S-диапазона 2,7-3,1 ГГц |
HF/ВHF/UHF, связь, индустриально, научное и медицинское оборудование |
Связь, линейные усилители |
СВЧ оборудование |
Радио- и телевещание |
Общего применения / малосигнальные |
|
Диапазон |
L-диапазон |
UHF |
L-диапазон |
S-диапазон |
S-диапазон |
HF/VHF/UHF |
UHF/ L и S диапазон диапазона |
L и S диапазон |
VHF/UHF |
VHF/UHF/ L и S диапазон |
|
Режим |
A и C |
C |
C |
S-диапазон |
S-диапазон |
A/AB/ C |
A и AB |
C |
A и AB |
A/B/ C |
|
Рабочая частота |
960-1215 МГц |
400-960 МГц |
1200-1400 МГц |
2,7 -2,9 ГГц |
2,7-3,1 ГГц |
2-960 МГц |
100-2300 МГц |
до 2470 МГц |
225-960 МГц |
100 -3000 МГц |
|
Напряжение смещения |
18-50 В |
40-50 В |
28-50 В |
50 В |
40-50 В |
7,5-50 В |
12,5-28 В |
20-28 В |
25 -28 В |
6-28 В |
|
Мощность |
0.2 -1400 Вт |
60-300 Вт |
2-370 Вт |
125-170 Вт |
100-150 Вт |
0,1-250 Вт |
0.11-50 Вт |
1-25 Вт |
1-200 Вт |
до 1,75 Вт |
|
Усиление |
5,2-10,9 дБ |
9-9,6 дБ |
6,5-9,7 дБ |
8,5 дБ |
8-8,3 дБ |
4,5-18 дБ |
6,5-12 дБ |
7-9,5 дБ |
7,5-11 дБ |
до 17,5 дБ |
|
Длительность импульса |
1-32 мкс/ELM-режим/не ограничено |
150-250 мкс |
100-5000 мкс/не ограничено |
100 мкс |
50-200 мкс |
не ограничено |
не ограничено |
не ограничено |
не ограничено |
не ограничено |
|
Коэффициент заполнения |
1-40% |
5-10% |
10-20%/100% |
10% |
4-10% |
100% |
100% |
100% |
100% |
100% |
|
кпд |
25-50% |
40-50% |
45-55% |
50% |
40-50% |
50-70% |
до 50% |
35-49% |
до 55% |
50% тип. |
- Кремниевые биполярные транзисторы (SI BJT) — это самые мощные выходные приборы для диапазона частот до 3,1ГГц
- Полный диапазон подходящих драйверов для выходных каскадов
- Кремниевая биполярная технология традиционно надежна
- Высокая надежность и специальный отбор для оборонной, морской и космической области применений
- Лидируют на рынке коммерческой Авионики
- Возможен подбор для замены морально устаревших компонентов
- Возможность изготовления по спецификации заказчика
- Индивидуальный подход к каждому клиенту в части цены
- Долговременная доступность для приобретения и использования
GaN транзисторы — диапазоны рабочих частот
Семейство GaN на SiC HEMT продуктов
|
Область применения |
Общее применение SMT драйверы QFN серия |
Общее применение Драйверы на керамике E-Серия |
Авионика |
Первичный радар L-диапазона со средней длительностью импульса |
Первичный радар L-диапазон с большой длительностью импульса |
Индустриальное научное и медицинское оборудование |
Первичный радар S-диапазона |
Первичный радар S-диапазона |
Первичный радар S-диапазона |
Первичный радар C-диапазона |
|
Диапазон |
VHF/UHF/ L и S диапазон |
VHF/UHF/ L и S диапазон |
L-диапазон |
L-диапазон |
L-диапазон |
S-диапазон |
S-диапазон |
S-диапазон |
S-диапазон |
C-диапазон |
|
Рабочая частота |
до 3,5 ГГц |
до 3,5 ГГц |
960-1215 МГц |
1,2-1,4 ГГц |
1,2-1,4 ГГц |
2,4-2,5 ГГц |
2,7-2,9 ГГц |
2,7-3,1 ГГц |
3,1-3,5 ГГц |
3,9-4,2/5,3-5,9 ГГц |
|
Рабочее напряжение смещения |
50 В |
50 В |
50 и 54 В |
50 В |
50 В |
50 В |
50 В |
50 В |
50 В |
50 В |
|
Мощность |
15 -125 Вт |
10-90 Вт |
300-1200 Вт |
100-800 Вт |
100-500 Вт |
10-300 Вт |
150-500 Вт |
30-400 Вт |
120-280 Вт |
70-120 Вт |
|
Усиление |
10-18,5 дБ |
12-18,4 дБ |
17-19 дБ |
16-17,5 дБ |
16-17 дБ |
11-15 дБ |
14-16,2 дБ |
13,4-16,5 дБ |
14-17,8 дБ |
11-15,2 дБ |
|
Длительность импульса |
1000 мкс и до не ограничено |
200-3000 мкс |
20-128 мкс и ELM-режим |
150-300 мкс |
200-4000 мкс |
не ограничено |
100 мкс |
200 мкс |
200 мкс |
200 мкс |
|
Коэффициент заполнения |
10% и до не ограничено |
10-30% |
2-10% |
10% |
20-30% |
100% |
10% |
10% |
10-20% |
10% |
|
кпд |
50-70% |
55-72% |
55-75% |
60-65% |
52-65% |
50-65% |
64-69% |
55-65% |
58-65% |
40-65% |
|
Корпус |
QFN 4×4 и 5×5 мм |
55QQP и 55QQ |
55KR и 55Q03 |
55KR и 55Q03 |
55KR |
55QQ, QFN 4×4 55QP, 55Q03 |
55QP, 55KR, 55Q03 |
55QP, 55KR, 55Q03 |
55QP, 55KR, 55Q03 |
55 QP |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
QFN 4×4 мм и 5×5 мм |
55QQP 60″ x 0,230″ Под фланец |
55QQ 0,160″ x 0,550″ Под фланец |
55QP 0,230″ х 0,800″ Под фланец |
55KR 0,385″ x 1,010” Под фланец |
55Q03 0,385″ x 1,340″ Под фланец |
- GaN → высокое пробивное напряжение → работоспособен от Vdd до напряжения пробоя
- GaN → работает на повышенных температурах перехода → высокая MTTF (средняя наработка на отказ)
- GaN на SiC HEMT → Класс AB → широкий динамический диапазон Pout (выходная мощность) → превосходная линейность
- GaN на SiC → наивысшая плотность мощности
- GaN на SiC → наименьшая занимаемая площадь → уменьшает вес конечного оборудования
- GaN на SiC → наивысшая мощность → лучший кпд
