English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      ЦАП DAC121S101QML-SP Texas Instruments

      ЦАП DAC121S101QML-SP 12 бит

      DAC121S101QML-SP-1Параметры:

      • Uпит. — 2.7 В … 5.5 В
      • DNL ±0,25/-0,15 LSB
      • SPI вых интерфейс
      • Время установки 12.5 мкс
      • Мощность потребления:
        При 3.6 В — 0.52 мВт
        При 5.5 В — 1.19 мВт
      • Ждущий режим
        При 3.6 В — 0.014 мкВт
        При 5.5 В — 0.033 мкВт

      Корпус:

      • 10-конт. SOIC
      • Стойкость к радиации:
        Накопленная доза …………………………………………………… 100 крад (Si)
        Воздействие ТЗЧ ……………………………………………… 120 МэВ•см²/мг

      DAC121S101QML-SP-sheme