Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные)
-
5 Окт 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
-
1 Окт 2015 IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.IGBT-транзисторы с напряжением пробоя 300 – 400 ВIGBT-транзисторы 600 – 650 ... (читать далее)
-
26 Авг 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
-
24 Авг 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
-
13 Фев 2015 MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями:Power MOS 8Power MOS VUltrafastCoolMosLinear Типы полевых транзисторов :MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода.FREDFET - полевые транзисторы для применений с внутренним антипараллельным быстрым диодом. В ... (читать далее)
-
12 Фев 2015 IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц. (читать далее)