English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные)

      • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) STMicroelectronics

        5 Окт 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
      • IGBT транзисторы STMicroelectronics

        1 Окт 2015 IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.IGBT-транзисторы с напряжением пробоя 300 – 400 ВIGBT-транзисторы 600 – 650 ... (читать далее)
      • Низковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

        26 Авг 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
      • Высоковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

        24 Авг 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
      • MOSFET транзисторы Microsemi

        13 Фев 2015 MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями:Power MOS 8Power MOS VUltrafastCoolMosLinear Типы полевых транзисторов :MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода.FREDFET - полевые транзисторы для применений с внутренним антипараллельным быстрым диодом. В ... (читать далее)
      • IGBT транзисторы Microsemi

        12 Фев 2015 IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц. (читать далее)