English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics

Подписка на новости

Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные)

  • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) STMicroelectronics

    5 Окт 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
  • IGBT транзисторы STMicroelectronics

    1 Окт 2015 IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.IGBT-транзисторы с напряжением пробоя 300 – 400 ВIGBT-транзисторы 600 – 650 ... (читать далее)
  • Низковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

    26 Авг 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
  • Высоковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

    24 Авг 2015 По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов. (читать далее)
  • MOSFET транзисторы Microsemi

    13 Фев 2015 MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями:Power MOS 8Power MOS VUltrafastCoolMosLinear Типы полевых транзисторов :MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода.FREDFET - полевые транзисторы для применений с внутренним антипараллельным быстрым диодом. В ... (читать далее)
  • IGBT транзисторы Microsemi

    12 Фев 2015 IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц. (читать далее)