MSC040SMA120B — новый высоковольтный SiC MOSFET с сопротивлением канала 40 мОм
26 Сен 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №2 2018 В последнее время высоковольтная силовая электроника проявляет повышенный интерес к карбид-кремниевым МОП-транзисторам (SiC MOSFET). Низкие потери и высокое быстродействие делают их отличной альтернативой IGBT. В частности, новый SiC-транзистор MSC040SMA120B от компании Microsemi имеет рейтинг напряжения 1200 В и чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала — 40 мОм. Кремний по-прежнему ... (читать далее)
Новое поколение сетевых коммутаторов Microsemi
28 Май 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №1 2018 Microsemi представляет новое поколение сетевых коммутаторов для гибких решений промышленной инфраструктуры Ethernet, а также для решений удаленного доступа к файлам по протоколу SMB. Устройство VSC7514 — это управляемый сетевой гигабитный коммутатор (переключатель, свитч) на 10 портов, поддерживающий комбинацию из 1G и 2,5G Ethernet-портов. Основные области, где могут применяться данные ... (читать далее)
Новые возможности звукового распознавания с аудиопроцессором Microsemi ZL38052
4 Янв 2018 Опубликовано в журнале «Вестник Электроники» №3-4 2017 Компания Zarlink (Microsemi) выпустила на рынок новый аудиопроцессор ZL38052 семейства Timberwolf, который успешно применяется в составе IP-камер, систем пожарной и газовой безопасности, в управляемых голосом шлюзах. В статье приводится обзор характеристик и преимуществ процессора, а также сопроводительного программного обеспечения, позволяющего значительно расширить функциональные ... (читать далее)
Индуктивные датчики Microsemi для ответственных применений
22 Июн 2017 Датчики являются одним из ключевых элементов обеспечения обратной связи в системах управления самого разного назначения. Индуктивные датчики по сравнению с магниторезистивными, резистивными и датчиками на эффекте Холла имеют ряд преимуществ. Благодаря этому, они находят широкое применение в АСУ в таких сферах, как автоматизация производства или автоматические измерительные системы, медицинское или автомобильное оборудование, и многие другие. В ... (читать далее)
Реализация коммутаторов цифровых и аналоговых датчиков с помощью ИС контроллера телеметрии LX7730 от компании Microsemi
13 Окт 2017 В статье рассмотрен классический принцип построения телеметрических систем и предложен новый подход к реализации c помощью ИС LX7730. Приведены основные технические характеристики и особенности контроллера телеметрии компании Microsemi. Развитие мировой электроники в конце прошлого века привело к возможности и необходимости появления отдельной ее отрасли — телеметрии. Она возникла на стыке с такими областями деятельности человека, как медицина, ... (читать далее)
Победа GAN-технологии
26 Авг 2017 GaN-технология продолжает свое победное шествие. Так, на частотах выше 3 ГГц мощные GaN-транзисторы и усилители мощности, созданные на их основе, уже давно и успешно применяются. На частотах менее 3 ГГц до недавних пор лидировали LDMOS-транзисторы, несомненными преимуществами которых были цена, простота схемы питания, а также хорошие характеристики — мощность, КПД, Ку.При сравнительно малых мощностях (до 500 Вт) эти преимущества ... (читать далее)
TVS-диоды, силовые транзисторы и модули Microsemi для авиационных применений
28 Сен 2017 Компания Microsemi является лидером в области силовых полупроводников для высоконадежных применений.Одно из стратегических направлений компании — изделия для авиационной техники. Линейка авиационных компонентов включает программируемые логические интегральные схемы, силовые модули и дискретные компоненты, источники питания. Краткий обзор силовой продукции представлен ниже. Супрессоры (TVS-диоды) Супрессоры (TVS-диоды) компании Microsemi ... (читать далее)
Опыт применения GAN-транзисторов L-диапазона фирмы Microsemi
29 Июн 2017 В статье описывается работа GaN-транзистора Microsemi 0912GN-650 и приводятся экспериментальные характеристики.На сегодня транзисторы, выполненные на основе нитридгаллиевой технологии, становятся все более и более популярными. Такая тенденция не случайна, ведь, несмотря на сложности, с которыми приходится сталкиваться при работе с такими транзисторами, их преимущества неоспоримы.Высокое пробивное напряжение сток-исток, а также высокая ... (читать далее)
Тенденции развития СВЧ электроники для широкополосных применений
14 Окт 2017 На сегодняшний день сохраняются две основные тенденции развития электронной компонентной базы СВЧ – повышение интеграции схем СВЧ и развитие технологии. Причём, если говорить о технологическом развитии, то имеет смысл сделать ударение именно на развитие GaN технологии, поскольку все остальные могут рассматриваться как пути улучшения достигнутых характористик, а технологии, основанные на производстве GaN-элементов, позволяют достичь поистине ... (читать далее)
Перспективы развития СВЧ устройств на основе GaN фирмы Microsemi
11 Июн 2017 На текущий момент компания Microsemi сосредоточила свои усилия на создании следующих новых СВЧ устройств и компонентов на основе GaN: мощных широкополосных и радарных транзисторов СВЧ, в том числе и Х-диапазона, и, монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC).GaN-on-DiamondФирма Raytheon (подразделение IDS), в рамках одной из программ DARPA, произвела успешную замену подложки из SiC, на алмаз, который является ... (читать далее)
12