Заказать семинар!Фильм о работе в компанииPT Electronics на выставке ЭкспоЭлектроника
  • 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
  • semicond@ptelectronics.ru
  • Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Защитный код *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

  • Подписка на новости
    Укажите интересующие списки новостей:

  • Индуктивные датчики Microsemi для ответственных применений

    22 Июн 2017 Датчики являются одним из ключевых элементов обеспечения обратной связи в системах управления самого разного назначения. Индуктивные датчики по сравнению с магниторезистивными, резистивными и датчиками на эффекте Холла имеют ряд преимуществ. Благодаря этому, они находят широкое применение в АСУ в таких сферах, как автоматизация производства или автоматические измерительные системы, медицинское или автомобильное оборудование, и многие другие. В ... (читать далее)
  • Реализация коммутаторов цифровых и аналоговых датчиков с помощью ИС контроллера телеметрии LX7730 от компании Microsemi

    13 Окт 2016 В статье рассмотрен классический принцип построения телеметрических систем и предложен новый подход к реализации c помощью ИС LX7730. Приведены основные технические характеристики и особенности контроллера телеметрии компании Microsemi.Развитие мировой электроники в конце прошлого века привело к возможности и необходимости появления отдельной ее отрасли — телеметрии. Она возникла на стыке с такими областями деятельности человека, как военная ... (читать далее)
  • Победа GAN-технологии

    26 Авг 2016 GaN-технология продолжает свое победное шествие. Так, на частотах выше 3 ГГц мощные GaN-транзисторы и усилители мощности, созданные на их основе, уже давно и успешно применяются. На частотах менее 3 ГГц до недавних пор лидировали LDMOS-транзисторы, несомненными преимуществами которых были цена, простота схемы питания, а также хорошие характеристики — мощность, КПД, Ку.При сравнительно малых мощностях (до 500 Вт) эти преимущества ... (читать далее)
  • TVS-диоды, силовые транзисторы и модули Microsemi для авиационных применений

    28 Сен 2015 Компания Microsemi является лидером в области силовых полупроводников для высоконадежных применений.Одно из стратегических направлений компании — изделия для авиационной техники. Линейка авиационных компонентов включает программируемые логические интегральные схемы, силовые модули и дискретные компоненты, источники питания. Краткий обзор силовой продукции представлен ниже. Супрессоры (TVS-диоды) Супрессоры (TVS-диоды) компании Microsemi ... (читать далее)
  • Опыт применения GAN-транзисторов L-диапазона фирмы Microsemi

    29 Июн 2015 В статье описывается работа GaN-транзистора Microsemi 0912GN-650 и приводятся экспериментальные характеристики.На сегодня транзисторы, выполненные на основе нитридгаллиевой технологии, становятся все более и более популярными. Такая тенденция не случайна, ведь, несмотря на сложности, с которыми приходится сталкиваться при работе с такими транзисторами, их преимущества неоспоримы.Высокое пробивное напряжение сток-исток, а также высокая ... (читать далее)
  • Тенденции развития СВЧ электроники для широкополосных применений

    14 Окт 2014 На сегодняшний день сохраняются две основные тенденции развития электронной компонентной базы СВЧ – повышение интеграции схем СВЧ и развитие технологии. Причём, если говорить о технологическом развитии, то имеет смысл сделать ударение именно на развитие GaN технологии, поскольку все остальные могут рассматриваться как пути улучшения достигнутых характористик, а технологии, основанные на производстве GaN-элементов, позволяют достичь поистине ... (читать далее)
  • Перспективы развития СВЧ устройств на основе GaN фирмы Microsemi

    11 Июн 2014 На текущий момент компания Microsemi сосредоточила свои усилия на создании следующих новых СВЧ устройств и компонентов на основе GaN: мощных широкополосных и радарных транзисторов СВЧ, в том числе и Х-диапазона, и, монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC).GaN-on-DiamondФирма Raytheon (подразделение IDS), в рамках одной из программ DARPA, произвела успешную замену подложки из SiC, на алмаз, который является ... (читать далее)
  • Работа мощных GaN-транзисторов Microsemi в импульсном режиме

    18 Мар 2014 В статье представлена работа мощных импульсных радиочастотных (ВЧ) GaN-HEMT-транзисторов в импульсном режиме.  В качестве примера рассмотрен транзистор 1011GN-700ELM 1030MHz Mode-S Enhanced Message Length (ELM) для применения в авиационных радарах. Детально проанализированы импульсный режим питания затвора и последовательность подачи питания на схему импульсного генератора, устанавливаемого на оценочные платы Microsemi, для испытаний всех ... (читать далее)
  • Microsemi в России. Интервью с представителем компании

    4 Фев 2014 Шэрон Блэйдс (Sharon Blades), директор по продажам компании Microsemi в Северной Европе, России и Израиле Microsemi является ведущим поставщиком полупроводников для энергетики и систем безопасности, отличающихся надежностью и эффективностью. Мы непрерывно разрабатываем новые инновационные продукты, чтобы поддерживать эти рынки и применения. Известно, что основными целевыми сегментами рынка для вашей компании являются следующие: мобильная ... (читать далее)