0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      IGBT-транзисторы серии M1200 В, 8 А с малыми потерями

      18 Мар 2019

      STGWA8M120DF3 – IGBT-транзисторы, выполненные по технологии trench gate field-stop. Данные устройства являются частью M-серии транзисторов, которые представляют собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторной системы, где важны функциональные возможности с малыми потерями и короткими замыканиями. Кроме того, положительный коэффициент температуры напряжения насыщения и узкое распределение параметров обеспечивают более безопасную работу устройства в параллельном режиме.IGBT-транзисторы

      Ключевые особенности:

      • Время выдержки короткого замыкания – 10 мкс;
      • VCE(sat) = 1.85 В;
      • Узкое распределение параметров;
      • Безопасная работа в параллельном режиме;
      • Низкое тепловое сопротивление.

      Более подробно с устройством можно ознакомиться на сайте компании STMicroelectronics.

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам в отдел активных компонентов

      STGWA8M120DF3 – IGBT-транзисторы от STMicroelectronics