IGBT транзистор по технологии trench gate field-stop, 1200 В, 15 А

18 Фев 2019

STGWA15M120DF3 – устройство от компании STMicroelectronics представляет собой IGBT, разработанный с использованием структуры trench gate field-stop

Устройство является частью IGBT транзисторов М-серии, представляющие оптимальный компромисс в производительности для максимизации эффективности инверторных систем, где важны низкие потери и возможность короткого замыкания.  Кроме того, положительный температурный коэффициент V_CE(SAT) и плотное распределение параметров обеспечивают более безопасное параллельное соединение.

Ключевые особенности:

• время выдержки короткого замыкания – 10 мкс;
• V_CE = 1.85 В, I_C = 15 А;
• безопасное параллельное соединение;
• низкое термическое сопротивление.

Более подробно с устройством можно ознакомиться на сайте компании STMicroelectronics

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам в отдел активных компонентов