English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      ISL73023SEH/ISL73024SEH – новые безлицензионные силовые GaN транзисторы для космического применения

      4 Апр 2018

      Компания Intersil представила семейство силовых нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов с космической квалификацией. ISL73023SEH (100 В @ 65 А) и ISL73024SEH (200 В @ 7,5 А) разработаны на базе кристаллов компании EPC, которые уже успели зарекомендовать себя на рынке силовых полупроводников. При более компактном корпусе, транзисторы на нитриде-галлия обеспечивают на 10 порядков лучшую производительность, чем стандартные кремниевые МОП-транзисторы, к слову общая площадь SMD корпуса ISL73023SEH и ISL73024SEH всего 42 мм².

      Высокая подвижность электронов и низкая теплопроводность нитрида-галлия позволяет достигать предельно низкого значения сопротивления, так сопротивление открытого канала Rds (on) ISL73023SEH составляет всего 5 мΩ при общем заряде затвора в 14 нКл. Как результат разработчики получают устройство, которое может работать с более высокой частотой коммутации и большей эффективностью, при гораздо меньших масса-габаритных показателях.

      GaN

      Рисунок 1. Компактный SMD корпус ISL73023SEH/ISL73024SEH

      Параметр

      ISL73023SEH

      ISL73024SEH

      Напряжение пробоя

      100В

      200В

      Ток коммутации

      65А

      7.5А

      Сопротивление открытого канала Rds(on)

      5мΩ

      45мΩ

      Общий заряд затвора

      14нКл

      2.5нКл

      Компактный SMD корпус общей площадью 42мм²

       

      Помимо транзисторов, компания также представила и драйвер для их управления — ISL73040SEH, к ключевым особенностям которого можно отнести:

      • широкий диапазон рабочих напряжений: 4,5 В … 13,2 В;
      • напряжение логических входов до 14,7 В (независимо от уровня Vdd);
      • инвертирующие и не инвертирующие входы;
      • внутренне регулируемое напряжение затвора 4,5 В;
      • независимые выходы для регулирования скорости включения/выключения.

      ISL73040SEH

      Рисунок 2. Блок-схема драйвера GaN транзисторов ISL73040SEH

       ISL73040SEH

      Рисунок 3. Типовая схема включения ISL73040SEH

      Новые компоненты обладают превосходными характеристиками радиационной стойкости: общая накопленная доза 75 крад (облучение низкой интенсивности 0,01 рад/с), ТЗЧ 86 МэВ*см2/мг и предлагаются в герметичных металлокерамических SMD корпусах, которые обеспечивают работу при температуре окружающей среды от -55 °C до +125 °C.

       Также стоит отметить, что представленные транзисторы и драйвер попадают под категорию EAR99, такие компоненты свободны для ввоза на территорию РФ и не требуют лицензирования. Доступны инженерные образцы.

      С более подробным описанием компонентов можно ознакомиться в прикрепленных даташитах:

      ISL70023SEH-3023SEH
      ISL70024SEH-3024SEH
      ISL70040SEH-3040SEH

       

      По всем вопросам обращайтесь в департамент активных компонентов.