Новые ультрабыстрые и мощные IGBT от STMicroelectronics

22 Окт 2017

Сегодня компания STMicroelectronics представила новое семейство ультрабыстрых 600 В IGBT. Данные высокочастотные транзисторы выполнены по инновационной технологии PT Planar. Использование процесса двойного дрейфа позволило значительно уменьшить эффективное сопротивление канала и улучшить динамические характеристики транзисторов, что, в свою очередь, привело к повышению устойчивости и управляемости процессом, особенно при высоких температурах.

Основные особенности:
• Рабочая частота более 100 кГц
• Улучшенный показатель Eoff в диапазоне повышенных температур
• Минимальные остаточные токи
• Низкие прямые и коммутационные потери
• Встроенный встречный диод, применим к топологиям:
• (D) с жёсткой коммутацией (UPS, SMPS, PV , Сварка)
• (DI) с резонансным, квазирезонансным или мягким переключением (Системы индукционного нагрева)
• Пониженное тепловое сопротивление Rth

Основные преимущества перед IGBT предыдущего поколения (NC):
• Сниженное Vсе (sat) (-10 %)
• Более низкие потери на выключение (закрытие) (- 10 %)
• Сниженная Eoff (max) (-25 %) на верхних границах температур

Техническую документацию читайте на сайте производителя.

По вопросам приобретения и заказа образцов продукции ST обращайтесь к руководителю направления активных компонентов Юрию Емельянову.