English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics

Подписка на новости

Назад

Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

Компания Microsemi выпускает интеллектуальные силовые IGBT модули (IPM IGBT) в корпусе LP8 на рабочие напряжения 600 В и 1200 В.

Современный IPM — это гибридный модуль, содержащий транзисторы IGBT или MOSFET, соединенные в определенной конфигурации, схему управления, оптимизированную по характеристикам управления затвора, схему защиты от перегрузок и схему индикации состояния.


По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.


Интеллектуальные силовые IGBT intellektual'nye_silovye_IGBT2

Наименование

Vces, В

Ic, А

Vce(on), В

NTC

Корпус

Cкачать PDF

APTLGF350A608G

600

350

2.1

LP8

APTLGF350A608G

APTLGT400A608G

600

400

1.5

LP8

APTLGT400A608G

APTLGF300A1208G

1200

300

3.2

LP8

APTLGF300A1208G

APTLGT300A1208G

1200

300

1.7

LP8

APTLGT300A1208G

APTLGL325A1208G

1200

325

1.8

LP8

APTLGL325A1208G

Написать письмо специалисту

active@ptelectronics.ru

Задать вопросЗаказать образцы
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics