Операционные усилители STMicroelectronics

RHF330

• Uпит. 0/5 В или -2,5/2,5 В
• Полоса пропускания 1 ГГц @ усиление 2
• Потребление 16 мА
• Скорость нарастания 1800В/мкс
• Уровень шума 1,3нВ/√Гц
• Динамический диапазон — 78 дБ @ 10 МГц

Стойкость к радиации:

• Накопленная доза 100-300 крад (Si)
• Воздействие ТЗЧ 110-120 МэВ*см²/мг

RHF350

• Uпит. 0/5 В или -2,5/2,5 В
• Полоса пропускания 550 МГц @ усиление 1
• Потребление 4 мА
• Скорость нарастания 940В/мкс
• Уровень шума 1,5 нВ/√Гц
• Динамический диапазон -66 дБ @ 10 МГц

Стойкость к радиации:

• Накопленная доза 100-300 крад (Si)
• Воздействие ТЗЧ 110-120 МэВ*см²/мг

RHF310

• Uпит. 0/5 В или -2,5/2,5 В
• Полоса пропускания 120 МГц @ усиление 1
• Потребление 2 мВт – 0,4 мА @ 5 В
• Скорость нарастания 115В/мкс
• Уровень шума 7,5 нВ/√Гц
• Динамический диапазон -87 dBc @ 1 MHz

Стойкость к радиации:

• Накопленная доза 100-300 крад (Si)
• Воздействие ТЗЧ 110-120 МэВ*см²/мг

RHF484, RHF43

• Uпит. 3-16 В
• Полоса пропускания 8 МГц
• Напряжение смещения 100 мкВ
• Скорость нарастания 3 В/мкс @ усиление 5
• Уровень шума 8 нВ/√Гц

Стойкость к радиации:

• Накопленная доза 100-300 крад (Si)
• Воздействие ТЗЧ 110-120 МэВ*см²/мг

RHR61, RHR64

• Uпит. 1,5 — 5,5 В
• Полоса пропускания 740 кГц
• Напряжение смещения 1 мВ
• Уровень шума 65 нВ/√Гц

Стойкость к радиации:

• Накопленная доза 100-300 крад (Si)
• Воздействие ТЗЧ 110-120 МэВ*см²/мг