English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      POL-модуль TPS50601-SP Texas Instruments

      Параметры TPS50601-SP :

      • tps50601_texasIвых. 6 А
      • Uвых. 0,8–5,5 В
      • Uвх. 3–6,3 В
      • F от 100 кГц до 1 МГц
      • 180° сдвиг фаз при параллельном включении
      • ±1,258% изменение Uвых.
      • Стойкость к радиации:
        Накопленная доза ………………………..100 крад (Si)
        Воздействие ТЗЧ ………………………….85 МэВ•см²/мг

      TPS50601-SP

      Написать письмо специалисту

      active@ptelectronics.ru

      Задать вопросЗаказать образцы
      Задать вопрос

        Имя *

        E-Mail *

        Компания *

        Телефон *

        Вопрос *

        Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

        Заказать образцы

          Имя *

          E-Mail *

          Телефон *

          Сайт

          Компания *

          Описание проекта *

          Образцы предоставляются под проект

          Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
          обработку своих персональных данных и
          обратную связь со специалистами PT Electronics