27 Ноя 2018 Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET)
Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до ... (читать далее)
25 Окт 2018 Встречайте серию новых термокомпенсированных кварцевых генераторов от компании Microsemi, применяемый от низкой околоземной орбиты до дальнего космоса
Новые термокомпенсированные кварцевые генераторы с синусоидальным выходным сигналом 2115/2215 от Microsemi устанавливают высокую планку стандартов компактности, низкого потребления мощности и расширенного частотного диапазона. Разработка и изготовление генераторов была оптимизирована для ... (читать далее)
26 Сен 2018
Компания Microsemi продолжает пополнять свою номенклатуру компонентов на основе карбида кремния (SiC)
Компоненты на карбиде кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными приборами на основе кремния (Si):
низкий уровень потерь при коммутации;
высокое значение плотности мощности;
высокая теплопроводность;
уменьшенные требования к охлаждению;
повышенный рабочий температурный диапазон.
Ключевые ... (читать далее)
11 Июл 2018 Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247
Параметры
MSC040SMA120B
Напряжение сток-исток
1200 В
Максимальный постоянный ток (25°С)
64 А
Максимальный постоянный ток (10°С)
45 А
Предельный импульсный ток
105 ... (читать далее)
5 Мар 2018 PT Electronics расширила дистрибьюторский договор с компанией Microsemi, и теперь является официальным поставщиком линеек продукции Vectron!
Vectron является лидером в разработке и производстве частотозадающих систем, датчиков и гибридных решений, используя самые современные технологии как на основе объемной акустической волны (BAW), так и на поверхностных акустических волнах (SAW) от DC до микроволновых частот.
Продукты включают различные ... (читать далее)
7 Ноя 2017 Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%.
1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.
Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности.
... (читать далее)
6 Окт 2017 Компания Microsemi анонсировала новую линейку широкополосных усилителей мощности, работающих в частотном диапазоне DC – 26ГГц.
Усилители реализованы на технологии GaAs PHEMT и обеспечивают уровень выходной мощности до 31 дБм, обладая при этом высоким динамическим уровнем OIP3 до 41 дБм.
Устройства представлены как в бескорпусном виде, так и в миниатюрном QFN-корпусе.
Основные параметры усилителей приведены в таблице ниже.
... (читать далее)
22 Сен 2017
Microsemi Corporation — ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, являющийся одним из лидеров на рынке WLAN RF IC, представляет линейку Front End модулей для IEEE802.11a/b/g/n/ac применений на частоты 2.4 и 5 ГГц.
Front End модули WLAN (Wi-Fi) объединяют несколько устройств, необходимых для реализации ВЧ-интерфейса. Как правило, они включают один или несколько ... (читать далее)
12 Июл 2017 Компания Microsemi выпустила новый широкополосный ограничительный PIN диод GC4701-6LP, реализованный в пластиковом корпусе и предназначенный для стандартных или копланарных микрополосковых схем. Благодаря низким вносимым потерям и высокой развязке этот диод идеально подходит для использования в пассивных или активных ограничителях мощности, работающих в частотном диапазоне от 0,1 ГГц до 18 ГГц.
Основные параметры:
рабочий диапазон частот ... (читать далее)
20 Фев 2017 Компания Microsemi анонсировала выпуск новых широкополосных малошумящих усилителей для широкого круга применений.
Усилители выполнены по технологии GaAs PHEMT и рассчитаны на работу в частотном диапазоне до 22 ГГц. Устройства обладают минимальным коэффициентом шума <2,5 дБ и широким динамическим диапазоном OIP3 28 дБ.
Основные области применения МШУ включают в себя радары и средства РЭБ, измерительное оборудование, генераторы сигналов, ... (читать далее)