English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics

Подписка на новости

  • Новое семейство SiC MOSFET от Microsemi

    27 Ноя 2018 Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET) Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до ... (читать далее)
  • Новые термокомпенсированные кварцевые генераторы с синусоидальным выходным сигналом 2115/2215 от Microsemi. Самые компактные генераторы в своем классе

    25 Окт 2018 Встречайте серию новых термокомпенсированных кварцевых генераторов от компании Microsemi, применяемый от низкой околоземной орбиты до дальнего космоса Новые термокомпенсированные кварцевые генераторы с синусоидальным выходным сигналом 2115/2215 от Microsemi устанавливают высокую планку стандартов компактности, низкого потребления мощности и расширенного частотного диапазона. Разработка и изготовление генераторов была оптимизирована для ... (читать далее)
  • Быстродействующие диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) с максимальным обратным напряжением 1700 В от Microsemi

    26 Сен 2018 Компания Microsemi продолжает пополнять свою номенклатуру компонентов на основе карбида кремния (SiC) Компоненты на карбиде кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными приборами на основе кремния (Si): низкий уровень потерь при коммутации; высокое значение плотности мощности; высокая теплопроводность; уменьшенные требования к охлаждению; повышенный рабочий температурный диапазон.     Ключевые ... (читать далее)
  • MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi

    11 Июл 2018 Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247 Параметры MSC040SMA120B Напряжение сток-исток 1200 В Максимальный постоянный ток (25°С) 64 А Максимальный постоянный ток (10°С) 45 А Предельный импульсный ток 105 ... (читать далее)
  • PT Electronics – официальный поставщик продукции Vectron

    5 Мар 2018 PT Electronics расширила дистрибьюторский договор с компанией Microsemi, и теперь является официальным поставщиком линеек продукции Vectron! Vectron является лидером в разработке и производстве частотозадающих систем, датчиков и гибридных решений, используя самые современные технологии как на основе объемной акустической волны (BAW), так и на поверхностных акустических волнах (SAW) от DC до микроволновых частот. Продукты включают различные ... (читать далее)
  • Новый мощный GaN транзистор L-диапазона

    7 Ноя 2017 Компания Microsemi анонсировала новый мощный GaN транзистор L-диапазона 1011GN-1600VG, способный обеспечить 1600 Вт в импульсном режиме и обладающий высоким КПД более 70%. 1011GN-1600VG предназначен для работы в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц. Транзистор предварительно согласован и выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченными выводами для обеспечения высокой производительности и надежности. ... (читать далее)
  • Новая линейка широкополосных усилителей мощности от Microsemi

    6 Окт 2017 Компания Microsemi анонсировала новую линейку широкополосных усилителей мощности, работающих в частотном диапазоне DC – 26ГГц. Усилители реализованы на технологии GaAs PHEMT и обеспечивают уровень выходной мощности до 31 дБм, обладая при этом высоким динамическим уровнем OIP3 до 41 дБм. Устройства представлены как в бескорпусном виде, так и в миниатюрном QFN-корпусе. Основные параметры усилителей приведены в таблице ниже.   ... (читать далее)
  • Семейство WLAN Front End модулей от Microsemi

    22 Сен 2017   Microsemi Corporation — ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, являющийся одним из лидеров на рынке WLAN RF IC, представляет линейку Front End модулей для IEEE802.11a/b/g/n/ac применений на частоты 2.4 и 5 ГГц. Front End модули WLAN (Wi-Fi) объединяют несколько устройств, необходимых для реализации ВЧ-интерфейса. Как правило, они включают один или несколько ... (читать далее)
  • ограничительный PIN диод GC4701-6LP

    12 Июл 2017 Компания Microsemi выпустила новый широкополосный ограничительный PIN диод GC4701-6LP, реализованный в пластиковом корпусе и предназначенный для стандартных или копланарных микрополосковых схем. Благодаря низким вносимым потерям и высокой развязке этот диод идеально подходит для использования в пассивных или активных ограничителях мощности, работающих в частотном диапазоне от 0,1 ГГц до 18 ГГц. Основные параметры: рабочий диапазон частот ... (читать далее)
  • Новое семейство малошумящих усилителей от Microsemi

    20 Фев 2017 Компания Microsemi анонсировала выпуск новых широкополосных малошумящих усилителей для широкого круга применений. Усилители выполнены по технологии GaAs PHEMT и рассчитаны на работу в частотном диапазоне до 22 ГГц. Устройства обладают минимальным коэффициентом шума <2,5 дБ и широким динамическим диапазоном OIP3 28 дБ. Основные области применения МШУ включают в себя радары и средства РЭБ, измерительное оборудование, генераторы сигналов, ... (читать далее)