0 позиций в запросе! Отправить?
Подписка на новости
- 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
- semicond@ptelectronics.ru
- Задать вопрос
- Заказать образцы
отправка...Новый силовой модуль MOSFET APTSM120AM14CD3AG на основе карбидкремния от компании Microsemi
10 Авг 2017 Компания Microsemi Corporation представила новый силовой модуль MOSFET APTSM120AM14CD3AG на основе карбидкремния. Новый SiC MOSFET создан по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;Ультранизкое ... (читать далее)
Безлицензионные радиационно-стойкие линейные регуляторы серии MHL от Microsemi Corporation
15 Июл 2017 Компания Microsemi Corporation вывела из-под торговой лицензии радиационно-стойкие линейные регуляторы серии MHL выполненные по гибридной технологии.Данная линейка представлена 2 моделями линейных стабилизаторов, выполненных в корпусах D2, TO-254 (MHL117, MHL127) и 4 моделями линейных стабилизаторов со сверхмалым падением напряжения (ULDO MHL86**, MHL87**). Общие характеристики представлены в таблице:MicrosemiВходное напряжение Vin, ВВыходное ... (читать далее)
LX7730 – новый радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии Microsemi
14 Апр 2017 Компания Microsemi Corporation выпустила LX7730 – новый высоконадежный радиационно-стойкий 64-х канальный контроллер телеметрии для космических применений, который работает в качестве дополнения к ПЛИС. Микросхема предназначена для работы в жестких условиях эксплуатации и обеспечивает режим нормальной работы в температурном диапазоне от -55 до +125 °С при воздействии ионизирующего излучения.В состав LX7730 входит 64-х канальный мультиплексор, ... (читать далее)
Новое семейство транзисторов 1200В SiC MOSFET Microsemi
20 Ноя 2017 Компания Microsemi Corporation представила новое семейство карбидкремниевых полевых транзисторов с изолированным затвором (SiC MOSFET). Новые SiC MOSFET созданы по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от ... (читать далее)
Новое семейство силовых 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi
17 Ноя 2017 Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, объявила о начале поставок нового семейства силовых 650-В биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором (NPT IGBT).
Новые модели обеспечивают частоту коммутации до 150 кГц, и этот уровень может быть увеличен при использовании транзисторов совместно с антипараллельными диодами Microsemi, ... (читать далее)
Новый транзистор 1011GN-1000V GaN на SiC HEMT Microsemi
3 Окт 2017 Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта –
GaN на SiC HEMT транзистора 1011GN-1000V.
Технические характеристики:
рабочие частоты 1030 – 1090 МГц;
мощность 1000 Вт;
коэффициент усиления 20.5 дБ;
импульс 32 мкс при 2% загрузке;
класс АВ.
По вопросам применения, заказов ... (читать далее)
Новый продукт Microsemi — монолитные интегральные схемы СВЧ
6 Июн 2017 Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, в конце мая анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта – монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC). Основанный на богатой истории создания СВЧ устройств новый портфель первоначально состоит из 16 продуктов, охватывающих диапазон DC-40 ГГц, и включает ... (читать далее)
