Новый транзистор 1011GN-1000V GaN на SiC HEMT Microsemi

3 Окт 2017

Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта –

GaN на SiC HEMT транзистора 1011GN-1000V.

Технические характеристики:

• рабочие частоты 1030 – 1090 МГц;
• мощность 1000 Вт;
• коэффициент усиления 20.5 дБ;
• импульс 32 мкс при  2% загрузке;
• класс АВ.  

 

---

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.