English 0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Описание проекта *

Образцы предоставляются под проект

Защитный код *

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
обработку своих персональных данных и
обратную связь со специалистами PT Electronics

Подписка на новости

Назад

MSC040SMA120B — новый силовой SiC MOSFET от Microsemi

11 Июл 2018

Компания Microsemi Corporation представила новый карбид-кремниевый МОП-транзистор (SiC MOSFET) с напряжением сток-исток равным 1200 В и сопротивлением открытого канала – 40 мОм. Транзистор выпускается в компактном и бюджетном корпусном исполнении TO-247SiC MOSFET

Параметры MSC040SMA120B
Напряжение сток-исток 1200 В
Максимальный постоянный ток (25°С) 64 А
Максимальный постоянный ток (10°С) 45 А
Предельный импульсный ток 105 А
Диапазон напряжений затвор-исток -10…25 В
Диапазон рабочих температур кристалла -55…+175 °С
Сопротивление открытого канала (типовое) 40 мОм
Пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 2,6 В
Температурный коэффициент напряжения затвор-исток

-4,5 мВ/°С

Заряд затвора 137 нКл
Энергия включения (25°С) 930 мкДж
Энергия выключения (25°С) 585 мкДж
Прямое падение встроенного диода 3,9 В
Время восстановления обратного диода 100 нс

Особенности:

  • малая емкость Coss(156 пФ) и низкий заряд затвора (137 нКл);
  • высокая скорость переключений за счет малого сопротивления затвора ESR (1,2 Ом);
  • надежная работа в широком диапазоне температур -55…+175 °С;
  • быстрый и надежный встроенный диод;
  • высокая стойкость к пробою.

Преимущества:

  • низкое сопротивление MSC040SMA120B обеспечивает минимальный уровень потерь проводимости и гарантирует высокую эффективность. С одной стороны, это позволяет повышать мощность конечных устройств, а с другой уменьшать их габариты;
  • высокая рабочая температура и малые потери на переключениях обеспечивает надежную работу транзистора;
  • благодаря наличию встроенного диода, во многих применениях удается отказаться от дополнительного внешнего диода, что позволяет снизить себестоимость конечного изделия.

Применение:

  • приводы электродвигателей;
  • источники питания,
  • инверторы и силовые преобразователи;
  • системы индукционного нагрева и сварочные аппараты;
  • системы бесперебойного питания;
  • электрические и гибридные силовые установки в автотранспорте;
  • преобразователи для альтернативной энергетики (инверторы солнечной энергии преобразователи ветрогенераторов).

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов

Datasheet