Назад
Новый GaN-транзистор Microsemi для частотного диапазона 50 МГц – 1 ГГц
27 Янв 2017
Компания Microsemi анонсировала выпуск GaN-транзистора 0510GN-25-CP, предназначенного для работы в частотном диапазоне от 50 МГц до 1 ГГц как в импульсном, так и в непрерывном режиме.
Транзистор основан на технологии GaN-on-SiC и выпускается в керамическом SMT корпусе, который обладает высокой теплопроводностью для обеспечения превосходной производительности и надежности.
Ключевые параметры GaN-транзистора 0510GN-25-CP:
- широкая полоса рабочих частот от 50 МГц до 1 ГГц,
- пиковая выходная мощность 25 Вт,
- коэффициент усиления 16 дБ,
- КПД 50%,
- напряжение питания 50 В,
- керамический SMT корпус 4 мм х 5 мм.
Основными областями применения для этого устройства являются импульсные радары, авиационное оборудование, передатчики ISM диапазона и профессиональная радиосвязь.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам в Отдел активных компонентов