Назад
Новый силовой модуль MOSFET APTSM120AM14CD3AG на основе карбидкремния от компании Microsemi
Компания Microsemi Corporation представила новый силовой модуль MOSFET APTSM120AM14CD3AG на основе карбидкремния. Новый SiC MOSFET создан по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.
Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:
- Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;
- Ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения;
- Повышенная максимальная частота переключения;
Новый модуль APTSM120AM14CD3AG представляет собой транзисторную сборку в конфигурации полумост рассчитанный на рабочее напряжение 1200 В и ток 180 А, обладает великолепными частотными характеристиками и минимальными потерями, что позволяет обеспечить ток 40 А при частоте 400 кГц в режиме жесткого переключения.
Тип корпуса | Напряжение (Vdss), В | Rds(on), мОм |
Ток (Id), А |
D3 | 1200 | 14 | 180 |
Область применения:
- Сварочные аппараты;
- индукционный нагрев;
- источники бесперебойного питания;
- импульсные источники питания.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.