0 позиций в запросе!   Отправить?
Подписка на новости
Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных

    Заказать образцы

      Имя *

      E-Mail *

      Телефон *

      Сайт

      Компания *

      Описание проекта *

      Образцы предоставляются под проект

      Нажимая на кнопку, вы даете согласие на
      обработку своих персональных данных и
      обратную связь со специалистами PT Electronics

      Подписка на новости

      Назад

      Новое семейство SiC MOSFET от Microsemi

      27 Ноя 2018

      Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET)

      Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до 1200 В и даже выше.

       

      Партномер Максимальное обратное напряжение, В (VBR) Сопротивление открытого канала, мОм (RDS(on)) Корпус
      MSC090SMA070B 700 90 TO-247
      MSC090SMA070S D3PAK
      MSC060SMA070B 60 TO-247
      MSC060SMA070S D3PAK
      MSC035SMA070B 35 TO-247
      MSC035SMA070S D3PAK
      MSC015SMA070B 15 TO-247
      MSC015SMA070S D3PAK
      MSC280SMA120B 1200 280 TO-247
      MSC280SMA120S D3PAK
      MSC140SMA120B 140 TO-247
      MSC140SMA120S D3PAK
      MSC080SMA120B 80 TO-247
      MSC080SMA120S D3PAK
      MSC080SMA120J SOT-227
      MSC040SMA120B 40 TO-247
      MSC040SMA120S D3PAK
      MSC040SMA120J SOT-227
      MSC025SMA120B 25 TO-247
      MSC025SMA120S D3PAK
      MSC025SMA120J SOT-227
      MSC750SMA170B 1700 750 TO-247
      MSC750SMA170S D3PAK
      MSC045SMA170B 45 TO-247
      MSC045SMA170S SOT-227

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов