Новое семейство SiC MOSFET от Microsemi

27 Ноя 2018

Компания Microsemi представила новое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов (SiC MOSFET)

Благодаря уникальным характеристикам карбида кремния удается создавать силовые SiC MOSFET, сочетающие в себе преимущества IGBT и кремниевых MOSFET. От кремниевых МОП-транзисторов карбид-кремниевые унаследовали высокое быстродействие, малые потери, простоту управления. Кроме того, они, также, как и IGBT, способны работать с высокими напряжениями до 1200 В и даже выше.

 

Партномер	Максимальное обратное напряжение, В (VBR)	Сопротивление открытого канала, мОм (RDS(on))	Корпус
MSC090SMA070B	700	90	TO-247
MSC090SMA070S			D3PAK
MSC060SMA070B		60	TO-247
MSC060SMA070S			D3PAK
MSC035SMA070B		35	TO-247
MSC035SMA070S			D3PAK
MSC015SMA070B		15	TO-247
MSC015SMA070S			D3PAK
MSC280SMA120B	1200	280	TO-247
MSC280SMA120S			D3PAK
MSC140SMA120B		140	TO-247
MSC140SMA120S			D3PAK
MSC080SMA120B		80	TO-247
MSC080SMA120S			D3PAK
MSC080SMA120J			SOT-227
MSC040SMA120B		40	TO-247
MSC040SMA120S			D3PAK
MSC040SMA120J			SOT-227
MSC025SMA120B		25	TO-247
MSC025SMA120S			D3PAK
MSC025SMA120J			SOT-227
MSC750SMA170B	1700	750	TO-247
MSC750SMA170S			D3PAK
MSC045SMA170B		45	TO-247
MSC045SMA170S			SOT-227

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов