Назад
Быстродействующие диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) с максимальным обратным напряжением 1700 В от Microsemi
Компания Microsemi продолжает пополнять свою номенклатуру компонентов на основе карбида кремния (SiC)
Компоненты на карбиде кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными приборами на основе кремния (Si):
- низкий уровень потерь при коммутации;
- высокое значение плотности мощности;
- высокая теплопроводность;
- уменьшенные требования к охлаждению;
- повышенный рабочий температурный диапазон.
Ключевые характеристики быстродействующих диодов Шоттки на основе карбида кремния:
Партномер |
Максимальное обратное напряжение, В (VBR) |
Среднее значение прямого тока, А (IF(avg)) |
Прямое напряжение, В (VF) |
Корпус |
MSC010SDA070K |
700 |
10 |
1,5 |
TO-220 |
MSC030SDA070K |
30 |
1,5 |
TO-220 |
|
MSC050SDA070B |
50 |
1,5 |
TO-247 |
|
MSC010SDA120B |
1200 |
10 |
1,5 |
TO-247 |
MSC010SDA120K |
TO-220 |
|||
MSC015SDA120B |
15 |
1,5 |
TO-247 |
|
MSC020SDA120B |
20 |
1,5 |
TO-247 |
|
MSC030SDA120B |
30 |
1,5 |
TO-247 |
|
MSC030SDA120S |
D3PAK |
|||
MSC050SDA120B |
50 |
1,5 |
TO-247 |
|
MSC050SDA120S |
D3PAK |
|||
MSC010SDA170B |
1700 |
10 |
1,5 |
TO-247 |
MSC030SDA170B |
30 |
1,5 |
TO-247 |
|
MSC050SDA170B |
50 |
1,5 |
TO-247 |
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов