Заказать семинар!Фильм о работе в компанииPT Electronics на выставке ЭкспоЭлектроника
  • 8 800 333-63-50Звонок из регионов бесплатный
  • semicond@ptelectronics.ru
  • Задать вопрос

    Имя *

    E-Mail *

    Компания *

    Телефон *

    Вопрос *

    Защитный код *

  • Подписка на новости
    Укажите интересующие списки новостей:

Активные компоненты

Основную часть поставок PT Electronics занимают активные компоненты ведущих мировых производителей STMicroelectronics и Linear Technology. Разнообразие готовых решений с применением своей элементной базы от производителей позволит быстро подобрать компоненты и внедрить их в изделие.

Постоянное наличие на складе отладочных комплектов для популярных серий микроконтроллеров STM8 и STM32, быстрое предоставление образцов и пилотных партий позволит вам сократить время от старта разработки до выхода готовой продукции на рынок.
 

Каталог PT Electronics в электронном формате – Активные компоненты 2015 (PDF, 28 Мб)

 

active-st2

 

  • Микроконтроллеры, процессоры и микросхемы памяти

     

    Микроконтроллеры, процессоры
    и микросхемы памяти 

    STMicroelectronics
      Texas Instruments
      «Интеграл»

    DSP+ARM

     

     

    EEPROM

    ✔ 

    NFC/RFID

     

    NVRAM

     

    SRAM

     

    Микроконтроллеры

    Микросхемы программируемой логики (ПЛИС)

    Микросхемы программируемой логики (ПЛИС) 

    Lattice
      Xilinx
      «Интеграл»

    CPLD

     

    FPGA

    Конфигурируемая память

     

    Расширяемые процессорные платформы, SoC

     

     

    Аналоговые и аналого-цифровые интегральные схемы

    Аналоговые и аналого-цифровые
    интегральные схемы

    Linear Technology
      STMicroelectronics
      Texas Instruments
      «Интеграл»

    АЦП, ЦАП

     

    Интерфейсные микросхемы (RS-232/485, Ethernet, USB, CAN)

    ✔ 
    Источники опорного напряжения

    Ключи и мультиплексоры

    Компараторы

    Операционные усилители

    Усилители мощности  

    Датчики и сенсоры (MEMS & Sensors)

    Датчики и сенсоры
    (MEMS & Sensors)

    STMicroelectronics
      Texas Instruments
      «Интеграл»

    Акселерометры

     

     

    Гироскопы

     

     

    Датчики давления  

     

    Датчики температуры

    Контроллеры сенсорного экрана (Touchscreen)    
    Магнетометры  
    Микрофоны MEMS    

    Микросхемы управления питанием (Power Management)

    Микросхемы управления питанием
    (Power Management)

    Linear Technology
      STMicroelectronics
      Texas Instruments
      «Интеграл»

    DC/DC-микромодули (микросборки)

     

    Драйверы MOSFET и IGBT

    ✔ 
    Контроллеры балласта люминесцентных ламп

     
    Контроллеры для AC/DC (PFC, PWM, синхронного выпрямления)

    Контроллеры заряда батареи

     
    Линейные стабилизаторы

    Микросхемы AC/DC-преобразователей  

    Микросхемы DC/DC-преобразователей

    Регуляторы тока для светодиодов (LED driver)

    ВЧ и СВЧ-компоненты (RF & Microwave)

    ВЧ- и СВЧ-компоненты
    (RF & Microwave)

    Aeroflex/Metelics
      Linear Technology
      MACOM
      Microsemi
      STMicroelectronics
      Texas Instruments
      Vectrawave
      «Интеграл»
    Аттенюаторы, фазовращатели            
    ГУНы (VCO)          
    Интегральные устройства СВЧ      
    Монолитные интегральные схемы СВЧ (MMIC)          
    Нелинейные генераторы высших гармоник        
    Ограничители мощности        
    Преобразователи частоты    
    СВЧ-диоды      
    СВЧ-коммутаторы    
    СВЧ-транзисторы      

    Радиационо-стойкие компонеты (Aerospace & RadHard)

    Радиационно-стойкие компоненты
    (Aerospace & RadHard)

    Intersil
      Microsemi
      STMicroelectronics
      Texas Instruments
      Xilinx
      «Интеграл»

    АЦП / ЦАП

     
    Диоды      
    Интерфейсные микросхемы    
    Источники опорного напряжения    
    Микросхемы логики    
    Операционные усилители    
    Радиационно-стойкие FPGA и конфигурируемая память        
    Регуляторы напряжения  
    Транзисторы      
    ШИМ-контроллеры (PWM  

    Силовые дискретные компоненты и модули

    Силовые дискретные
    компоненты и модули

    Microsemi
      STMicroelectronics
      «Интеграл»

    IGBT-модули

     
    MOSFET-модули    
    Диоды (Шоттки, полевые, SiC, сверхбыстрые)  
    Интеллектуальные силовые ключи  
    Тиристоры и тиристорные модули  
    Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные)

    Компоненты и модули беспроводной связи

    Компоненты и модули
    беспроводной связи

    Aeroflex/Metelics
      Linear Technology
      MACOM
      Microsemi
      STMicroelectronics
      Texas Instruments
      «Интеграл»
    Bluetooth-компоненты и модули

             
    Wi-Fi-модули          
    ZigBee-компоненты и модули          
    Беспроводная MESH-сеть Hard/IP-протокола            
    Интегральные компоненты ВЧ-тракта
    Компактные радиомодули        
    Приемопередатчики субгигагерцовые (433/898 МГц)          

    Прочие компоненты

    Прочие компоненты

    Linear Technology
      Microsemi
      STMicroelectronics
      Texas Instruments
      «Интеграл»
    Измерители расхода электроэнергии (Energy Meters)      
    Интегральные EMI-фильтры      
    Компоненты электростатической защиты  
    Контроллеры питания по Ethernet (PoE)    
    Контроллеры электродвигателей (DC motor control)    
    Микросхемы передачи данных по силовой сети (PLC)      
    Микросхемы стандартной логики      
    Микросхемы тактирования      
    Cупервизоры, таймеры и устройства сброса  
    Часы реального времени    
  • Аналоговые и аналого-цифровые интегральные схемы
    • Операционный усилитель LMH6521 Texas Instruments

      Параметры LMH6521: 2 канала Усилители с цифровым управлением Максимальное усиление 26 дБ Шаг усиления 0,5 дБ Точность усиления 1% Полоса пропускания 1200 МГц OIP3 48,5 дБм при 200 МГц

    • ЦАП DAC38J82 Texas Instruments

      Параметры DAC38J82: Разрядность 16 бит Скорость 1,6/2,5 ГГц 2 канала Интерфейс JESD204B Потребление 1,1 Вт при 2,5 ГГц Независимые смесители с 48-бит генератором с цифровым управлением Цифровой квадратурный модулятор коррекции

    • Двухканальный приемник LM97937 Texas Instruments

      Интегральная система LM97937, разработанная Texas Instruments, ориентирована на применение в высокопроизводительных и многофункциональных высокочастотных цифровых приемных устройствах. Структура микросхемы содержит два ядра скоростных АЦП flash-типа, работающих с частотой выборок 370 МГц, буферные входные усилители для аналоговых сигналов и высокоточной глобальной синхронизации. Основные характеристики: скорость преобразования до 370 МГц; разрешение в […]

    • Скоростные ЦАП

      Texas Instruments предлагает широкий выбор ЦАП, все компоненты поставляются без лицензии. По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.

    • Скоростные АЦП

      Texas Instruments предлагает широкий выбор АЦП. По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.

    АЦП, ЦАП
    • ЦАП DAC38J82 Texas Instruments

      Параметры DAC38J82: Разрядность 16 бит Скорость 1,6/2,5 ГГц 2 канала Интерфейс JESD204B Потребление 1,1 Вт при 2,5 ГГц Независимые смесители с 48-бит генератором с цифровым управлением Цифровой квадратурный модулятор коррекции

    • Двухканальный приемник LM97937 Texas Instruments

      Интегральная система LM97937, разработанная Texas Instruments, ориентирована на применение в высокопроизводительных и многофункциональных высокочастотных цифровых приемных устройствах. Структура микросхемы содержит два ядра скоростных АЦП flash-типа, работающих с частотой выборок 370 МГц, буферные входные усилители для аналоговых сигналов и высокоточной глобальной синхронизации. Основные характеристики: скорость преобразования до 370 МГц; разрешение в […]

    • Скоростные ЦАП

      Texas Instruments предлагает широкий выбор ЦАП, все компоненты поставляются без лицензии. По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.

    • Скоростные АЦП

      Texas Instruments предлагает широкий выбор АЦП. По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активные компоненты.

    Операционные усилители
    • Операционный усилитель LMH6521 Texas Instruments

      Параметры LMH6521: 2 канала Усилители с цифровым управлением Максимальное усиление 26 дБ Шаг усиления 0,5 дБ Точность усиления 1% Полоса пропускания 1200 МГц OIP3 48,5 дБм при 200 МГц

    ВЧ и СВЧ-компоненты (RF & Microwave)
    • Широкополосные усилители Microsemi

      Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, в конце мая анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта – монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC). Основанный на богатой истории создания СВЧ устройств новый портфель первоначально состоит из 16 продуктов, охватывающих диапазон DC-40 ГГц, […]

    • Усилитель мощности 1 Вт в монолитном исполнении от MACOM

      Двухкаскадный предусилитель MAAP-011232 MACOM обеспечивает высокий коэффициент усиления в диапазоне частот от 100 МГц до 3 ГГц. Микросхема может быть использована как для предварительного усиления сигнала, так и для основного режима усиления в широком спектре применений, включающем любительскую и профессиональную радиосвязь, датчики, телеметрию, измерительные системы и спутниковую связь. Микросхема имеет типовой […]

    • ВЧ конденсаторы Exxelia

      Серии СH, CP, NHB, SH, CL

    • Управляемые напряжением аттенюаторы Microsemi

      Функциональное назначение Частота, ГГц Вносимые потери, дБ Динамический диапазон, дБ Затухание несогла- сованности (RL), дБ Входная мощность (P1dB), дБм Корпус Номер по каталогу Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-40 <3 17 >8 >8 Бескорпусная ИС MMS005AA Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-50 <5 27 >12 >3 Бескорпусная ИС MMS004AA  

    • Делители частоты Microsemi

      Частота, ГГц Функциональное назначение Выходная мощность (Pout), дБм Эквивалентный коэффициент шума в одной боковой полосе, 10 кГц, дБс/Гц Рассеиваемая мощность, Вт Корпус Номер по каталогу 0-9 От /8 до /511, весь диапазон +4 -150 0,46 6×6 QFN UXN6M9P 0-14 От /8 до /511, весь диапазон +4 -147 1,10 6×6 QFN […]

    • Мощные транзисторы для усилителей мощности и передатчиков Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.

    • Монолитные микроволновые ключи для поверхностного монтажа компании Microsemi

      MPS2R10-606 Последовательно-шунтирующие pin-диоды в конфигурации SP2T Допустимая мощность непрерывного излучения 200 Вт Низкие вносимые потери (ослабление) Высокая степень развязки Монтаж на поверхность Типоразмер 0805 Пассивация обеспечивающая стабильно низкий уровень утечки Прочный стеклянный корпус Соответствие требованиям Директивы RoHS       MPS2R10-606 предельно допустимые режимы Параметр Условнее обозначение Значение Ед. изм. […]

    • 2 – 26 ГГц широкодиапазонные pin-диоды

      Области применения 2 – 26 ГГц переключатели на pin-диодах Широкодиапазонные средства радиоэлектронной борьбы и их субсистемы Радиолокационных системы Ka-диапазона (20-30 ГГц) Испытательное и измерительное оборудование Переключатели «приём-передача», антенные коммутаторы, дуплексеры Системы мобильной и фиксированной связи, переключатели «приём-передача» Программно-определяемая радиосистема (SDR), переключатели «приём-передача» Базовые станции сотовой связи, дуплексеры Семейства продуктов GC42xx […]

    Аттенюаторы, фазовращатели
    • Управляемые напряжением аттенюаторы Microsemi

      Функциональное назначение Частота, ГГц Вносимые потери, дБ Динамический диапазон, дБ Затухание несогла- сованности (RL), дБ Входная мощность (P1dB), дБм Корпус Номер по каталогу Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-40 <3 17 >8 >8 Бескорпусная ИС MMS005AA Аналоговый, управляемый напряжением аттенюатор 0-50 <5 27 >12 >3 Бескорпусная ИС MMS004AA  

    ВЧ конденсаторы
    Интегральные устройства СВЧ
    • Делители частоты Microsemi

      Частота, ГГц Функциональное назначение Выходная мощность (Pout), дБм Эквивалентный коэффициент шума в одной боковой полосе, 10 кГц, дБс/Гц Рассеиваемая мощность, Вт Корпус Номер по каталогу 0-9 От /8 до /511, весь диапазон +4 -150 0,46 6×6 QFN UXN6M9P 0-14 От /8 до /511, весь диапазон +4 -147 1,10 6×6 QFN […]

    Монолитные интегральные схемы СВЧ (MMIC)
    • Широкополосные усилители Microsemi

      Microsemi Corporation – ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, в конце мая анонсировал выпуск на рынок своего нового продукта – монолитных интегральных схем СВЧ (Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC). Основанный на богатой истории создания СВЧ устройств новый портфель первоначально состоит из 16 продуктов, охватывающих диапазон DC-40 ГГц, […]

    • Усилитель мощности 1 Вт в монолитном исполнении от MACOM

      Двухкаскадный предусилитель MAAP-011232 MACOM обеспечивает высокий коэффициент усиления в диапазоне частот от 100 МГц до 3 ГГц. Микросхема может быть использована как для предварительного усиления сигнала, так и для основного режима усиления в широком спектре применений, включающем любительскую и профессиональную радиосвязь, датчики, телеметрию, измерительные системы и спутниковую связь. Микросхема имеет типовой […]

    СВЧ диоды
    • 2 – 26 ГГц широкодиапазонные pin-диоды

      Области применения 2 – 26 ГГц переключатели на pin-диодах Широкодиапазонные средства радиоэлектронной борьбы и их субсистемы Радиолокационных системы Ka-диапазона (20-30 ГГц) Испытательное и измерительное оборудование Переключатели «приём-передача», антенные коммутаторы, дуплексеры Системы мобильной и фиксированной связи, переключатели «приём-передача» Программно-определяемая радиосистема (SDR), переключатели «приём-передача» Базовые станции сотовой связи, дуплексеры Семейства продуктов GC42xx […]

    СВЧ коммутаторы
    • Монолитные микроволновые ключи для поверхностного монтажа компании Microsemi

      MPS2R10-606 Последовательно-шунтирующие pin-диоды в конфигурации SP2T Допустимая мощность непрерывного излучения 200 Вт Низкие вносимые потери (ослабление) Высокая степень развязки Монтаж на поверхность Типоразмер 0805 Пассивация обеспечивающая стабильно низкий уровень утечки Прочный стеклянный корпус Соответствие требованиям Директивы RoHS       MPS2R10-606 предельно допустимые режимы Параметр Условнее обозначение Значение Ед. изм. […]

    СВЧ транзисторы
    Датчики и сенсоры (MEMS & Sensors)
    • Акселерометры STMicroelectronics

      Одним из видов МЭМС датчиков является акселерометр – датчик, позволяющий измерять линейное ускорение. Он широко применяются в навигации, морских приложениях, устройствах автомобильной и стационарной сигнализации.

    Акселерометры
    • Акселерометры STMicroelectronics

      Одним из видов МЭМС датчиков является акселерометр – датчик, позволяющий измерять линейное ускорение. Он широко применяются в навигации, морских приложениях, устройствах автомобильной и стационарной сигнализации.

    Компоненты и модули беспроводной связи
    • Усилители мощности компании Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.     Описание Напряжение питания (Vcc), В Усиление, дБ Выходная линейная мощность (Pout), дБм EVM, дБ Ток при 1,8% EVM, мА Гармоники, дБм/МГц Тип корпуса и габариты, мм Область применения Статус LX5531 5 ГГц усилитель мощности, […]

    Интегральные компоненты ВЧ тракта
    • Усилители мощности компании Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.     Описание Напряжение питания (Vcc), В Усиление, дБ Выходная линейная мощность (Pout), дБм EVM, дБ Ток при 1,8% EVM, мА Гармоники, дБм/МГц Тип корпуса и габариты, мм Область применения Статус LX5531 5 ГГц усилитель мощности, […]

    Микроконтроллеры, процессоры и микросхемы памяти
    • Микроконтроллеры RL78/G10
    • Линейка микроконтроллеров STM8S от STMicroelectronics

      Отличительной особенностью линейки STM8S является отличное соотношение цены и функциональности. В целом, семейство STM8 состоит из трех линеек микроконтроллеров: STM8A для автомобильных применений с повышенной надежностью,  STM8L для приложений с батарейным питанием и  STM8S для промышленных применений с 5 В питанием. Для старта работы с микроконтроллерами STM8S, компания STMicroelectronics выпустила […]

    • Линейка микроконтроллеров STM32 F4 от STMicroelectronics

      Линейка микроконтроллеров от STMicroelectronics расширяет платформу STM32 новым ядром ARM Cortex™-M4, добавляя цифровую обработку сигналов и еще большую производительность в номенклатуру продуктов семейства STM32. Благодаря тому, что DSP-инструкции в STM32 F4 выполняются за один такт, стали доступны новые сегменты рынка встраиваемых приложений. Компания ST предлагает своим заказчикам, ныне использующим двухчиповое […]

    Микроконтроллеры
    • Линейка микроконтроллеров STM8S от STMicroelectronics

      Отличительной особенностью линейки STM8S является отличное соотношение цены и функциональности. В целом, семейство STM8 состоит из трех линеек микроконтроллеров: STM8A для автомобильных применений с повышенной надежностью,  STM8L для приложений с батарейным питанием и  STM8S для промышленных применений с 5 В питанием. Для старта работы с микроконтроллерами STM8S, компания STMicroelectronics выпустила […]

    • Линейка микроконтроллеров STM32 F4 от STMicroelectronics

      Линейка микроконтроллеров от STMicroelectronics расширяет платформу STM32 новым ядром ARM Cortex™-M4, добавляя цифровую обработку сигналов и еще большую производительность в номенклатуру продуктов семейства STM32. Благодаря тому, что DSP-инструкции в STM32 F4 выполняются за один такт, стали доступны новые сегменты рынка встраиваемых приложений. Компания ST предлагает своим заказчикам, ныне использующим двухчиповое […]

    Микросхемы программируемой логики (ПЛИС)
    • Программируемые полупроводниковые приборы FPGA Xilinx

      Чипы основаны на матрицах конфигурируемых блоков логики (CLBs), подключенные через программируемые соединения. В отличие от интегральных микросхем, схемы программируемой логики FPGA нацелены на конкретное приложение или функциональное требование.

    • Программируемые логические интегральные схемы CPLD компании Xilinx

      Логические устройства данного типа содержат программируемые макроячейки. Массивы on/off  коммутируемы  с внешними выводами и внутренними шинами. Набор функциональных возможностей интегральных схем с архитектурой CPLD кодируется в энергонезависимой памяти. Конфигурация сохраняется при отключении питания. Схемы используются в контроллерах  COM-портов, USB, VGA. Перепрограммируемый массив может выполнять множество логических функций. Семейство CPLD  схем […]

    • Расширяемые процессорные платформы, SoC компании Xilinx

      Это новый класс изделий, сочетающих стандартный интерфейс с программируемой логической единой архитектурой — Zynq-7000 Xilinx. В основе архитектуры лежит совмещение в одном кристалле аппаратного процессорного ядра ARM и программируемых логических интегральных схем Xilinx седьмого семейства, выполненных по технологии 28 нм. Такая комбинация открывает широкие возможности как для разработчиков аппаратного обеспечения […]

    • Конфигурируемая память компании Xilinx

      В данной линейке представлен широкий спектр конфигурируемых модулей памяти оптимизированных для использования с Virtex ® и Spartan® FPGA.  

    CPLD
    • Программируемые логические интегральные схемы CPLD компании Xilinx

      Логические устройства данного типа содержат программируемые макроячейки. Массивы on/off  коммутируемы  с внешними выводами и внутренними шинами. Набор функциональных возможностей интегральных схем с архитектурой CPLD кодируется в энергонезависимой памяти. Конфигурация сохраняется при отключении питания. Схемы используются в контроллерах  COM-портов, USB, VGA. Перепрограммируемый массив может выполнять множество логических функций. Семейство CPLD  схем […]

    FPGA
    • Программируемые полупроводниковые приборы FPGA Xilinx

      Чипы основаны на матрицах конфигурируемых блоков логики (CLBs), подключенные через программируемые соединения. В отличие от интегральных микросхем, схемы программируемой логики FPGA нацелены на конкретное приложение или функциональное требование.

    Конфигурируемая память
    Расширяемые процессорные платформы, SoC
    • Расширяемые процессорные платформы, SoC компании Xilinx

      Это новый класс изделий, сочетающих стандартный интерфейс с программируемой логической единой архитектурой — Zynq-7000 Xilinx. В основе архитектуры лежит совмещение в одном кристалле аппаратного процессорного ядра ARM и программируемых логических интегральных схем Xilinx седьмого семейства, выполненных по технологии 28 нм. Такая комбинация открывает широкие возможности как для разработчиков аппаратного обеспечения […]

    Микросхемы управления питанием (Power Management)
    • AC/DC преобразователи STMicroelectronics

      Основные функциональные блоки Общие особенности VIPer*5 → 800-В лавинно-устойчивый полевой транзистор со встроенным датчиком тока Встроенная 800-В схема плавного запуска ШИМ-контроллер в режиме контроля тока в настраиваемой защитой от перегрузок(Id lim) Энергопотребление на холостом ходу менее 30 мВт на 230 В AC Защита от короткого замыкания с автоматическим рестартом Интегрированная […]

    • LDO TPS7A8101 Texas Instruments

      LDO TPS7A8101 Параметры: Uвх. 2,2 – 6,5 В Iвых. 1 А Uвых. 0,8 – 6 В Точность ± 0,3% Низкий выходной шум 23,5 мкВ (100 Гц…100 кГц) Малое падение напряжения 170 мВ при 1 А

    • DC-DC преобразователи STMicroelectronics

      Входное напряжение, В Наименование  Ток выхода макс, А   Синхронное выпрямление   Низкое энергопотребление на слабых нагрузках Корпус   4,5…38   L7985/6 2/3  нет  нет  HSOP8, VFQFPN10-3×3  4…38   L6986 2  да  да  HTSSOP16  5,5…48   ST1S14 3  нет  нет  HSOP8  4,5…61   L7987/L 2/3  нет  нет  HTSSOP16   L7987/L Характеристики 4,5…61 В диапазон входного напряжения До […]

    • Модульные DC/DC источники питания

      Специализированные DC/DC модули (микросборки) с передовыми характеристиками, для питания сложной цифровой нагрузки типа ПЛИС и процессоров

    DC-DC микромодули (микросборки)
    • Модульные DC/DC источники питания

      Специализированные DC/DC модули (микросборки) с передовыми характеристиками, для питания сложной цифровой нагрузки типа ПЛИС и процессоров

    Линейные стабилизаторы
    • LDO TPS7A8101 Texas Instruments

      LDO TPS7A8101 Параметры: Uвх. 2,2 – 6,5 В Iвых. 1 А Uвых. 0,8 – 6 В Точность ± 0,3% Низкий выходной шум 23,5 мкВ (100 Гц…100 кГц) Малое падение напряжения 170 мВ при 1 А

    Микросхемы AC-DC преобразователей
    • AC/DC преобразователи STMicroelectronics

      Основные функциональные блоки Общие особенности VIPer*5 → 800-В лавинно-устойчивый полевой транзистор со встроенным датчиком тока Встроенная 800-В схема плавного запуска ШИМ-контроллер в режиме контроля тока в настраиваемой защитой от перегрузок(Id lim) Энергопотребление на холостом ходу менее 30 мВт на 230 В AC Защита от короткого замыкания с автоматическим рестартом Интегрированная […]

    Микросхемы DC-DC преобразователей
    • DC-DC преобразователи STMicroelectronics

      Входное напряжение, В Наименование  Ток выхода макс, А   Синхронное выпрямление   Низкое энергопотребление на слабых нагрузках Корпус   4,5…38   L7985/6 2/3  нет  нет  HSOP8, VFQFPN10-3×3  4…38   L6986 2  да  да  HTSSOP16  5,5…48   ST1S14 3  нет  нет  HSOP8  4,5…61   L7987/L 2/3  нет  нет  HTSSOP16   L7987/L Характеристики 4,5…61 В диапазон входного напряжения До […]

    Прочие компоненты
    • Генераторы тактовой частоты LMK61xx от Texas Instruments

      Компания Texas Instruments выпустила микросхему генератора тактовой частоты LMK61xx, которая обладает превосходными характеристиками по джиттеру, максимальное значение которого достигает 200 фс. Так же благодаря гибкости версий микросхем по выходным частотам (есть как с фиксированными, так и с программируемыми), данное решение является универсальным, и найдет широкое применение в различных устройствах и […]

    Микросхемы тактирования
    • Генераторы тактовой частоты LMK61xx от Texas Instruments

      Компания Texas Instruments выпустила микросхему генератора тактовой частоты LMK61xx, которая обладает превосходными характеристиками по джиттеру, максимальное значение которого достигает 200 фс. Так же благодаря гибкости версий микросхем по выходным частотам (есть как с фиксированными, так и с программируемыми), данное решение является универсальным, и найдет широкое применение в различных устройствах и […]

    Радиационностойкие компоненты
    Радиационо-стойкие компонеты (Aerospace & RadHard)
    • ЦАП DAC121S101QML-SP Texas Instruments

      ЦАП DAC121S101QML-SP 12 бит Параметры: Uпит. — 2.7 В … 5.5 В DNL ±0,25/-0,15 LSB SPI вых интерфейс Время установки 12.5 мкс Мощность потребления:При 3.6 В — 0.52 мВт При 5.5 В — 1.19 мВт Ждущий режим При 3.6 В — 0.014 мкВт При 5.5 В — 0.033 мкВт Корпус: […]

    • АЦП ADC128S102 Texas Instruments

      АЦП ADC128S102, 8 каналов, 12 бит, 50 KSPS до 1 MSPS Параметры ADC128S102: Uпит. 2,7 В – 5,25 В INL –0,2…+0,4 LSB DNL ±0,4 LSB SPI вых. интерфейс ENOB мин. 11,1 бит SNR мин. 68,5 дБ SFDR мин. 75 дБ Полоса пропускания 6,8–10 МГц Мощность потребленияпри 3 В — 2,3 […]

    • POL-модуль TPS50601-SP Texas Instruments

      Параметры TPS50601-SP : Iвых. 6 А Uвых. 0,8–5,5 В Uвх. 3–6,3 В F от 100 кГц до 1 МГц 180° сдвиг фаз при параллельном включении ±1,258% изменение Uвых. Стойкость к радиации:Накопленная доза ………………………..100 крад (Si)Воздействие ТЗЧ ………………………….85 МэВ•см²/мг

    • Радиационно-стойкие FPGA и конфигурируемая память компании Xilinx

      С апреля 2015 года, возобновилась поставка радиационно-стойких компонентов Xilinx в РФ, под космические программы следующих направлений: научные, метеорологические, под проекты МКС, космические программы с иностранным участием. Срок рассмотрения и оформления лицензии составляет до 3-х месяцев. Для оформления лицензии необходимо предоставить соответствующую информацию о проекте. Подачу документов можно осуществлять до размещения […]

    • Безлицензионный радиационно-стойкий мультиплексор ISL73840 Intersil

      Аналоговый мультиплексор ISL73840 от компании Intersil для космического применения поставляется в РФ без каких-либо ограничений и идеально подходит для блоков телеметрии.   Параметры: 16 каналов; Ron < 500 Ом; Напряжение питания: от ±10.8 В до ±16.5 В; Ток утечки в выключенном состоянии: 100 нА; Время переключения: 500 нс.   Стойкость […]

    • ЦАП DAC5675A-SP Texas Instruments

      ЦАП DAC5675A-SP Основные параметры  Разрядность 14 бит            Скорость 400 МГц Динамич. Диапазон 82 дБ Сигнал /шум 67 дБ Интерфейс LVDS Количество каналов 1 шт. Корпус 52 конт. Flatpack Температурные диапазоны:  от -55 до +115 °С Стойкость к радиации: Накопленная доза Воздействие ТЗЧ   150 крад(Si) 110 МэВ*см²/мг

    • Радиационно-стойкие компоненты от Texas Instruments

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    АЦП / ЦАП
    • ЦАП DAC121S101QML-SP Texas Instruments

      ЦАП DAC121S101QML-SP 12 бит Параметры: Uпит. — 2.7 В … 5.5 В DNL ±0,25/-0,15 LSB SPI вых интерфейс Время установки 12.5 мкс Мощность потребления:При 3.6 В — 0.52 мВт При 5.5 В — 1.19 мВт Ждущий режим При 3.6 В — 0.014 мкВт При 5.5 В — 0.033 мкВт Корпус: […]

    • АЦП ADC128S102 Texas Instruments

      АЦП ADC128S102, 8 каналов, 12 бит, 50 KSPS до 1 MSPS Параметры ADC128S102: Uпит. 2,7 В – 5,25 В INL –0,2…+0,4 LSB DNL ±0,4 LSB SPI вых. интерфейс ENOB мин. 11,1 бит SNR мин. 68,5 дБ SFDR мин. 75 дБ Полоса пропускания 6,8–10 МГц Мощность потребленияпри 3 В — 2,3 […]

    • ЦАП DAC5675A-SP Texas Instruments

      ЦАП DAC5675A-SP Основные параметры  Разрядность 14 бит            Скорость 400 МГц Динамич. Диапазон 82 дБ Сигнал /шум 67 дБ Интерфейс LVDS Количество каналов 1 шт. Корпус 52 конт. Flatpack Температурные диапазоны:  от -55 до +115 °С Стойкость к радиации: Накопленная доза Воздействие ТЗЧ   150 крад(Si) 110 МэВ*см²/мг

    Переключатели аналогово сигнала
    • Безлицензионный радиационно-стойкий мультиплексор ISL73840 Intersil

      Аналоговый мультиплексор ISL73840 от компании Intersil для космического применения поставляется в РФ без каких-либо ограничений и идеально подходит для блоков телеметрии.   Параметры: 16 каналов; Ron < 500 Ом; Напряжение питания: от ±10.8 В до ±16.5 В; Ток утечки в выключенном состоянии: 100 нА; Время переключения: 500 нс.   Стойкость […]

    Радиационно-стойкие FPGA и конфигурируемая память
    • Радиационно-стойкие FPGA и конфигурируемая память компании Xilinx

      С апреля 2015 года, возобновилась поставка радиационно-стойких компонентов Xilinx в РФ, под космические программы следующих направлений: научные, метеорологические, под проекты МКС, космические программы с иностранным участием. Срок рассмотрения и оформления лицензии составляет до 3-х месяцев. Для оформления лицензии необходимо предоставить соответствующую информацию о проекте. Подачу документов можно осуществлять до размещения […]

    Регуляторы напряжения
    • POL-модуль TPS50601-SP Texas Instruments

      Параметры TPS50601-SP : Iвых. 6 А Uвых. 0,8–5,5 В Uвх. 3–6,3 В F от 100 кГц до 1 МГц 180° сдвиг фаз при параллельном включении ±1,258% изменение Uвых. Стойкость к радиации:Накопленная доза ………………………..100 крад (Si)Воздействие ТЗЧ ………………………….85 МэВ•см²/мг

    • Радиационно-стойкие компоненты от Texas Instruments

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    Силовые дискретные компоненты и модули
    • Силовые модули для аэрокосмических приложений Microsemi

      Диапазон мощностей до 50 кВт на модуль   Модуль без схемы драйвера Диапазон температур От -60°C до +100°C (рабочий) От -60°C до +125°C (хранение)   Модуль с встроенной схемой драйвера внутри корпуса Диапазон температур От -55°C до +85°C (рабочий) От -55°C до +100°C (хранение) Субкомпонент системы (Модуль с драйвером + […]

    • Тиристоры и тиристорные модули STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Тиристоры и тиристорные модули STMicroelectronics

      Компания STMicroelectronics предлагает широкий спектр тиристоров с номинальными напряжениями до 1200 В и током до 120 А как миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа, так и изолированных и неизолированных корпусах с высокой рассеиваемой мощностью. Стандартные тиристоры Наименование Корпус Назначение It(RMS) max (A) Vdrm max (V) Itsm max (A) Tj max (°C) Igt max (A) dv/dt […]

    • Диоды (Шоттки, полевые, SiC, сверхбыстрые) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • IGBT модули STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Диоды (Шоттки, полевые, SiC, сверхбыстрые) STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях.

    • Тиристоры и тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В.

    • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях.

    • IGBT транзисторы STMicroelectronics

      IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.

    • Низковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Высоковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Диоды STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает интеллектуальные силовые IGBT модули (IPM IGBT) в корпусе LP8 на рабочие напряжения 600 В и 1200 В.

    • Тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В в конфигурациях схемы удвоения тиристор-тиристор, тиристор-диод.

    • Силовые диоды Microsemi

      Компания Microsemi выпускает дискретные кремниевые диоды с быстрым восстановлением (FRED), а также кремниевые и карбидкремневые диоды Шоттки.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    • Диодные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает диодные модули в различных конфигурациях.

    • MOSFET транзисторы Microsemi

      MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения.   MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями: Power MOS 8 Power MOS V Ultrafast CoolMos Linear   Типы полевых транзисторов : MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода. FREDFET — полевые транзисторы […]

    • IGBT транзисторы Microsemi

      IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц.

    IGBT модули
    • Силовые модули для аэрокосмических приложений Microsemi

      Диапазон мощностей до 50 кВт на модуль   Модуль без схемы драйвера Диапазон температур От -60°C до +100°C (рабочий) От -60°C до +125°C (хранение)   Модуль с встроенной схемой драйвера внутри корпуса Диапазон температур От -55°C до +85°C (рабочий) От -55°C до +100°C (хранение) Субкомпонент системы (Модуль с драйвером + […]

    • IGBT модули STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях.

    • IGBT транзисторы STMicroelectronics

      IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.

    • IGBT модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых IGBT модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    MOSFET модули
    • Силовые модули для аэрокосмических приложений Microsemi

      Диапазон мощностей до 50 кВт на модуль   Модуль без схемы драйвера Диапазон температур От -60°C до +100°C (рабочий) От -60°C до +125°C (хранение)   Модуль с встроенной схемой драйвера внутри корпуса Диапазон температур От -55°C до +85°C (рабочий) От -55°C до +100°C (хранение) Субкомпонент системы (Модуль с драйвером + […]

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях.

    • MOSFET модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает широкую номенклатуру силовых MOSFET модулей в разных конфигурациях. Так же компания выпускает заказные модули в соответствии с требованиями заказчика.

    Диоды (Шоттки, полевые, SiC, сверхбыстрые)
    Интеллектуальные силовые ключи
    Тиристоры и тиристорные модули
    • Тиристоры и тиристорные модули STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Тиристоры и тиристорные модули STMicroelectronics

      Компания STMicroelectronics предлагает широкий спектр тиристоров с номинальными напряжениями до 1200 В и током до 120 А как миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа, так и изолированных и неизолированных корпусах с высокой рассеиваемой мощностью. Стандартные тиристоры Наименование Корпус Назначение It(RMS) max (A) Vdrm max (V) Itsm max (A) Tj max (°C) Igt max (A) dv/dt […]

    • Тиристоры и тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В.

    • Тиристорные модули Microsemi

      Компания Microsemi выпускает тиристорные модули в корпусах SF1, D1 на рабочие напряжения от 800 В до 1600 В в конфигурациях схемы удвоения тиристор-тиристор, тиристор-диод.

    Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные)
    • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Транзисторы (IGBT, MOSFET, SiC, биполярные) Microsemi

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • IGBT транзисторы STMicroelectronics

      IGBT транзисторы компании STMicroelectronics обеспечивают оптимальный компромисс между скоростью переключения и поведением в открытом состоянии в широком диапазоне напряжений пробоя от 350 В до 1300 В и могут широко применяться в таких областях как автомобильная промышленность, бесперебойное питание, индукционный нагрев, сварка, освещения и других применениях.

    • Низковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • Высоковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics

      По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

    • MOSFET транзисторы Microsemi

      MOSFET транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения.   MOSFET/FREDFET представлены следующими сериями: Power MOS 8 Power MOS V Ultrafast CoolMos Linear   Типы полевых транзисторов : MOSFET – полевые транзисторы без внутреннего специального антипараллельного диода. FREDFET — полевые транзисторы […]

    • IGBT транзисторы Microsemi

      IGBT транзисторы Microsemi идеально подходят для решения задач в широком диапазоне напряжений, больших мощностей и высоких скоростей переключения. Частотный диапазон простирается от постоянного тока до 150 кГц.

    • Акция на отладочные средства семейства ECP5-ECP5-5G и программное обеспечение от Lattice Semiconductor

      22 Дек 2016 Компания Lattice Semiconductor проводит акцию на отладочные средства для своего нового семейства ECP5-ECP5-5G и программное обеспечение.   По большой скидке можно купить отладочные платы: ECP5 Versa Development Kit ECP5-5G Versa Development Kit   Набор IP ядер, включающий в себя все интерфейсные ядра, в том числе и PCI Express, CPRI, JESD204B, DDR3 controller, Ethernet MAC и другие: Connectivity IP Suite Лицензия на ...
    • Микроконтроллеры STM32 и STM8 (+ NDK NX3215SA) в наличии на складе в Санкт-Петербурге

      1 Окт 2014 Линейка микроконтроллеров STM32 STMicroelectronics предоставляет огромный выбор для разработчика. Она включает в себя самые мощные и производительные микроконтроллеры на базе ядра Cortex M4 (например, STM32F407VGT6, STM32F373CBT6) и ультрадешевые решения на базе ядра Cortex M0 (например, STM32F030 ). Линейка STM8 дополняет линейку STM32, предоставляя возможность снизить цену конечного устройства за счет применения ультрадешевых микроконтроллеров ...
    Все спецпредложения
    • LTM8073 – микромодульный малошумящий (Silent Switcher) DC/DC-преобразователь с широким диапазоном входных напряжений

      21 Апр 2017 LTM8073 – это понижающий DC/DC-преобразователь напряжения в модульном исполнении, с широким диапазоном входных напряжений до 60 В и выходным током 3 А (в пике 5 А). В корпус уже включен ШИМ-контроллер, силовые ключи, индуктивности и прочие компоненты обвязки. Преобразователь работает в диапазоне входных напряжений от 3,4 В до 60 В, при выходном напряжении от 0,8 В до 15 В и подстраиваемой частоте работы от 200 кГц до 3 МГц, каждый из параметров ...
    • Как построить датчик присутствия с малым потреблением от батареи

      19 Апр 2017 Главная задача при разработке датчика, используемого для управления освещением или генерации тревоги при обнаружении движения,  –  сверхнизкое потребление для того, чтобы обеспечить длительный срок службы батареи. STMicroelectronics предлагает отладочную плату STEVAL-IDI009V1 с пассивным инфракрасным сенсором (PIR) имеющую полную цепь обработки сигнала, в основе которой – операционный усилитель TSU102 с нанопотреблением на уровне 24 мкА. Плату ...
    • ST-AudioWeaver — новый графический инструмент разработки приложений обработки цифрового аудио

      14 Апр 2017 Компания STMicroelectronics совместно с DSP Concepts предложили разработчикам приложений на базе микроконтроллеров STM32 бесплатный инструмент для реализации продвинутых алгоритмов обработки цифрового аудио. Миниатюрная электроника, носимые устройства и приборы «Интернета вещей» теперь могут с легкостью реализовывать высокоуровневые аудио функции на микроконтроллерах STM32™ благодаря простому в использовании графическому инструменту ...
    • LTC5566 – двухканальный широкополосный смеситель частоты с встроенными программируемыми усилителями ПЧ

      10 Апр 2017 Портфолио СВЧ компонентов компании Linear Technology пополнилось новым широкополосным двухканальным смесителем частоты, с широким динамическим диапазоном и встроенными программируемыми усилителями ПЧ с переменным коэффициентом усиления. Данный смеситель работает в широком диапазоне входных частот от 300 МГц до 6 ГГц и специально оптимизирован для работы в составе 4G и 5G (3,6 ГГц, 4,5 ГГц) инфраструктуры. Кроме того, для удовлетворения растущих ...
    • Новый инструментарий для «Интернета вещей» с поддержкой графики, обработки звука и соединением с интернетом

      6 Апр 2017 STMicroelectronics представляет новую отладочную плату для микроконтроллера STM32F417.   Ключевые особенности отладочного средства STM32F413H-Discovery: микроконтроллер STM32F413ZHT6 c 1,5 Мб Flash-памяти, 320 кбайт памяти SRAM, корпус LQFP144; отладчик/программатор ST-LINK/V2-1 с поддержкой автоматического определения; цветной сенсорный ЖКИ экран 240х240 пикселей; Quad-SPI Flash-память объемом 128 Мбит; I2S аудио-кодек; два ...
    Все новости
    • Изоляторы μMODULE: высокоинтегрированные изолированные интерфейсы для ответственных применений от Linear Technology (LTC)

      2 Фев 2017 Изолированные интерфейсы μModule производства компании Linear Technology представляют собой комплексные, полностью законченные решения типа система-в-корпусе (англ. SiP — system-in-package), которые обеспечивают устойчивость изоляции по пробивному напряжению до 7,5 кВ для самых популярных последовательных интерфейсов и устройств, включая: USB, RS485, RS232, SPI/Digital, I2C, АЦП, ЦАП и ключи. Кроме того, большая часть интерфейсов имеет ...
    • Использование GAN-технологии для коммерческих рынков

      16 Дек 2016 В статье рассматриваются преимущества использования технологий на основе нитрида галлия при создании СВЧ-приборов — от изделий радиоэлектроники до бытовой техники. Нитрид галлия (GaN) — это бинарное соединение элементов III и V групп, которое представляет собой прямозонный полупроводник с широкой запрещенной зоной. GaN обеспечивает превосходную эффективность и широкую полосу рабочих частот и уже заслужил признание в качестве оптимального ...
    • Мощные и компактные DC/DC-регуляторы напряжения μMODULE — идеальное решение для современных систем телекоммуникаций

      9 Дек 2016 Вступление Техническая политика производителей телекоммуникационного оборудования, как ответ на требования рынка, направлена на то, чтобы постоянно увеличивать пропускную способность и эффективность выпускаемых ими систем, а также повышать их функциональные возможности и общие технические характеристики. В то же время остаются актуальными и вопросы снижения общего потребления энергии выпускаемых систем. Например, типичная задача состоит в том, ...
    • Мультиядерные процессоры компании Texas Instruments семейства 66АК2Х

      20 Окт 2016 Компания Texas Instruments (TI), являясь одним из лидеров западной электронной промышленности, предлагает широкий спектр различных процессоров и проектных решений, оптимизированных для разработки и построения практически любых встроенных систем. В обзоре представлены выпускаемые в настоящее время компанией TI процессоры и уделено особое внимание новому мультиядерному семейству 66АК2х. Рис. 1. Перечень процессоров, выпускаемых компанией TI На ...
    • Победа GAN-технологии

      26 Авг 2016 GaN-технология продолжает свое победное шествие. Так, на частотах выше 3 ГГц мощные GaN-транзисторы и усилители мощности, созданные на их основе, уже давно и успешно применяются. На частотах менее 3 ГГц до недавних пор лидировали LDMOS-транзисторы, несомненными преимуществами которых были цена, простота схемы питания, а также хорошие характеристики — мощность, КПД, Ку.При сравнительно малых мощностях (до 500 Вт) эти преимущества ...
    ">
    Все статьи

Написать письмо специалисту

active@ptelectronics.ru

Задать вопрос
Заказать образцы

Имя *

E-Mail *

Компания *

Телефон *

Вопрос *

Защитный код *


Имя *

E-Mail *

Телефон *

Сайт

Компания *

Почтовый адрес

Изделие

Описание

Время разработки

Количество изделий в год

Наименования и количество образцов *

Защитный код *